材料輻照損傷是核反應堆材料、尤其是核聚變堆材料所面臨的重要問題.高能粒子(中子、離子、電子)輻照在材料中會產(chǎn)生大量的點缺陷,即自間隙原子和空位.這些點缺陷聚集在一起會形成自間隙原子團簇和空位團簇,從而對材料結構和性能的演化產(chǎn)生重要影響.空位團簇包括有空洞、層錯四面體、空位型位錯環(huán),而自間隙原子團簇則只有自間隙型位錯環(huán).本文介紹了兩種點缺陷團簇的性質(zhì)、及其對于以材料輻照腫脹為主要內(nèi)容的材料輻照損傷性能的影響.作為空位團簇,比較詳細介紹了具有本課題組特色的空位型位錯環(huán)的研究,同時分析了合金元素和氫同位素對空位型位錯環(huán)的影響.在鐵試樣中形成的這種空位型位錯環(huán)尺寸可達100 nm左右,該空位型位錯環(huán)具有兩種柏氏矢量,b=<100>和b=1/2<111>,前者的數(shù)密度比后者高一個數(shù)量級.對于自間隙原子團簇,則重點介紹了與其相關的一維遷移現(xiàn)象及其研究動態(tài),該一維遷移性能有可能是影響高熵合金輻照性能的重要因素.

【文章頁數(shù)】：7 頁


本文編號：4005418