漫反射板在ICF靶場(chǎng)近背向散射測(cè)量中的特性研究
【文章頁數(shù)】:89 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1MCF原理示意圖
圖1-1MCF原理示意圖子體約束一定時(shí)間,使得二者在真空腔內(nèi)發(fā)生足夠的碰撞從而ICF是用特定的高功率能源,從多個(gè)方向同時(shí)直接或間接作用靶丸表面,使其發(fā)生內(nèi)爆壓縮[12,13],從而達(dá)到聚變。如圖1-2性約束核聚變裝置NIF的示意圖。在ICF過程中,等離子體慣性....
圖1-2美國(guó)激光慣性約束核聚變裝置NIF的示意圖
圖1-1MCF原理示意圖等離子體約束一定時(shí)間,使得二者在真空腔內(nèi)發(fā)生足夠的碰撞從而達(dá)到。而ICF是用特定的高功率能源,從多個(gè)方向同時(shí)直接或間接作用于氘混合靶丸表面,使其發(fā)生內(nèi)爆壓縮[12,13],從而達(dá)到聚變。如圖1-2所示光慣性約束核聚變裝置NIF的示意圖。在....
圖1-3多束激光直接驅(qū)動(dòng)靶丸引起的四個(gè)反應(yīng)過程
圖1-3多束激光直接驅(qū)動(dòng)靶丸引起的四個(gè)反應(yīng)過程燒蝕并引起內(nèi)爆壓縮,從而實(shí)現(xiàn)聚變反應(yīng)。間接驅(qū)動(dòng)引起的聚變反應(yīng)過程如圖1-4所示,而間接驅(qū)動(dòng)是激光束注入高Z材料(金、銅等)制成的靶腔內(nèi)壁上,圖1-4多束激光間接驅(qū)動(dòng)靶丸引起的聚變反應(yīng)過程使高Z材料的原子離子化形成高溫....
圖1-4多束激光間接驅(qū)動(dòng)靶丸引起的聚變反應(yīng)過程
從而實(shí)現(xiàn)聚變反應(yīng)。間接驅(qū)動(dòng)引起的聚變反應(yīng)過程如圖1-4所示,而間接驅(qū)動(dòng)是激光束注入高Z材料(金、銅等)制成的靶腔內(nèi)壁上,圖1-4多束激光間接驅(qū)動(dòng)靶丸引起的聚變反應(yīng)過程使高Z材料的原子離子化形成高溫高密度等離子體,激光在高溫等離子體中傳播并被其吸收,高溫等離子體中的電....
本文編號(hào):3955362
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