CH摻Si/Ge輻射燒蝕特性研究
發(fā)布時(shí)間:2023-06-10 12:29
在間接驅(qū)動(dòng)慣性約束聚變中,激光燒蝕金腔壁產(chǎn)生X射線輻射,其中包括軟X射線(0-2keV)和M帶X射線(2-4keV)。軟X射線射程短,主要被燃料層外面的燒蝕層所吸收。而M帶X射線由于其平均自由程較長(zhǎng),可傳輸更遠(yuǎn)的距離,因此能在沖擊波到達(dá)之前將燃料層預(yù)熱。預(yù)熱會(huì)降低靶丸的可壓縮性,對(duì)實(shí)現(xiàn)點(diǎn)火不利。 為了抑制預(yù)熱,可以有兩種途徑,一是降低輻射源中M帶X射線所占的份額,其二是在燒蝕層中摻雜中高Z元素以抑制M帶X射線的傳輸。本論文的主要工作都是圍繞第二種途徑來(lái)開(kāi)展的。通過(guò)在CH層中摻雜Si和Ge可以起到抑制預(yù)熱的作用,但同時(shí),也會(huì)對(duì)內(nèi)爆速度、RT不穩(wěn)定性以及混合等產(chǎn)生不利影響。通過(guò)模擬及實(shí)驗(yàn)我們對(duì)摻雜燒蝕做了以下三方面的研究: 首先,我們通過(guò)Multi-1D模擬研究CH中透射能流與預(yù)熱的關(guān)系。我們將預(yù)熱分為兩個(gè)過(guò)程:一是輻射源X射線穿透燒蝕層,形成透射能流,這可以看做是燒蝕層材料對(duì)輻射源譜的改造;第二,透射能流對(duì)燃料的預(yù)熱。通過(guò)模擬研究對(duì)比薄靶的透射能流與厚靶的預(yù)熱溫度,我們發(fā)現(xiàn),透射能流越高,預(yù)熱溫度也就越高。 第二,我們通過(guò)測(cè)量不同能區(qū)的透射能流來(lái)研究Si/Ge摻雜對(duì)輻射燒蝕的影響。在神光...
【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
目錄
第1章 引言
1.1. 慣性約束聚變基本過(guò)程
1.2. 研究摻雜燒蝕的意義
1.3. 摻雜燒蝕新進(jìn)展
1.4. 論文工作主要內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
第2章 ICF中的預(yù)熱
2.1. ICF中的預(yù)熱現(xiàn)象
2.2. 摻雜元素與份額
2.3. 一維平面靶中的預(yù)熱
參考文獻(xiàn)
第3章 透射能流與預(yù)熱的關(guān)系
3.1. Multi-1D簡(jiǎn)介
3.2. 一維平面靶的透射能流
3.2.1. 能譜改造
3.2.2. 薄靶與厚靶狀態(tài)對(duì)比
3.2.3. 不同摻雜方式下的透射能流
3.3. 透射能流與預(yù)熱溫度
3.4. 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 Si/Ge摻雜燒蝕對(duì)比
4.1. Si、Ge不透明度對(duì)比
4.2. 神光-Ⅱ摻雜燒蝕實(shí)驗(yàn)
4.2.1. 靶及黑腔設(shè)計(jì)
4.2.2. 診斷設(shè)備及方法
4.2.3. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
4.3. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模擬分析
4.3.1. Multi-1D模擬
4.3.2. 結(jié)果分析
4.3.3. 不透明度修正
4.4. 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 輻射源特性對(duì)摻雜燒蝕的影響
5.1. 輻射源譜特性
5.1.1. 非平衡輻射源的構(gòu)造
5.1.2. M帶X射線總量
5.2. CH(Si)均勻混合
5.2.1. CH(Si)混合不透明度
5.2.2. CH(Si)混合狀態(tài)方程
5.3. 輻射源特性對(duì)摻雜燒蝕的影響
5.3.1. 不同M帶份額fm下的燒蝕模擬
5.3.2. 不同輻射源溫度下的燒蝕模擬
5.3.3. 不同摻雜份額下的燒蝕模擬
5.3.4. 結(jié)論
5.4. 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 總結(jié)與展望
6.1. 工作總結(jié)
6.2. 展望
致謝
附錄
本文編號(hào):3832885
【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
目錄
第1章 引言
1.1. 慣性約束聚變基本過(guò)程
1.2. 研究摻雜燒蝕的意義
1.3. 摻雜燒蝕新進(jìn)展
1.4. 論文工作主要內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
第2章 ICF中的預(yù)熱
2.1. ICF中的預(yù)熱現(xiàn)象
2.2. 摻雜元素與份額
2.3. 一維平面靶中的預(yù)熱
參考文獻(xiàn)
第3章 透射能流與預(yù)熱的關(guān)系
3.1. Multi-1D簡(jiǎn)介
3.2. 一維平面靶的透射能流
3.2.1. 能譜改造
3.2.2. 薄靶與厚靶狀態(tài)對(duì)比
3.2.3. 不同摻雜方式下的透射能流
3.3. 透射能流與預(yù)熱溫度
3.4. 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 Si/Ge摻雜燒蝕對(duì)比
4.1. Si、Ge不透明度對(duì)比
4.2. 神光-Ⅱ摻雜燒蝕實(shí)驗(yàn)
4.2.1. 靶及黑腔設(shè)計(jì)
4.2.2. 診斷設(shè)備及方法
4.2.3. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
4.3. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模擬分析
4.3.1. Multi-1D模擬
4.3.2. 結(jié)果分析
4.3.3. 不透明度修正
4.4. 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 輻射源特性對(duì)摻雜燒蝕的影響
5.1. 輻射源譜特性
5.1.1. 非平衡輻射源的構(gòu)造
5.1.2. M帶X射線總量
5.2. CH(Si)均勻混合
5.2.1. CH(Si)混合不透明度
5.2.2. CH(Si)混合狀態(tài)方程
5.3. 輻射源特性對(duì)摻雜燒蝕的影響
5.3.1. 不同M帶份額fm下的燒蝕模擬
5.3.2. 不同輻射源溫度下的燒蝕模擬
5.3.3. 不同摻雜份額下的燒蝕模擬
5.3.4. 結(jié)論
5.4. 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 總結(jié)與展望
6.1. 工作總結(jié)
6.2. 展望
致謝
附錄
本文編號(hào):3832885
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