MCNP模擬衛(wèi)星介質(zhì)深層充電特征
發(fā)布時間:2023-02-19 08:56
針對近些年衛(wèi)星介質(zhì)深層充電頻頻引發(fā)地球同步軌道衛(wèi)星運行發(fā)生故障,本文利用MCNP方法模擬了衛(wèi)星介質(zhì)深層充電的過程,通過MCNP方法得出的理論計算值能為衛(wèi)星在太空中安全運行提供了數(shù)據(jù)支持和技術(shù)參考。MCNP方法是將概率論和計算機技術(shù)相結(jié)合而產(chǎn)生的一種計算方法,根據(jù)實際需要建立理論模擬模型,并將計算機模擬結(jié)果作為待解決問題的近似值。 本文把高能電子在航天器介質(zhì)平板模型中的充電過程簡化為電子穿過屏蔽物質(zhì)進入到介質(zhì)Epoxy中。首先模擬在沒有屏蔽物質(zhì)時,0.75MeV單能電子入射,計算出介質(zhì)Epoxy內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的厚度為0.3cm;其次根據(jù)計算出來的介質(zhì)厚度,模擬出有屏蔽物質(zhì)Al時,最佳屏蔽厚度為0.1cm;再次,模擬4種材料(Al、Ag、Fe、Organic Glass)做為屏蔽物質(zhì)時,不同入射電子能量對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響的對比,得出相同條件下,屏蔽效果最好的為Ag物質(zhì),但綜合考慮(例如價格)后,選為最佳衛(wèi)星屏蔽物質(zhì)為Al材料;最后模擬出Al作為屏蔽物質(zhì),不同的厚度下,不同入射電子能量對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響,得出隨著屏蔽物質(zhì)厚度的增加,介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場值逐漸降低,...
【文章頁數(shù)】:44 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 引言
1.1 研究背景
1.2 研究現(xiàn)狀
1.3 本文研究意義
第2章 射線與物質(zhì)相互作用
2.1 電子的能量損失
2.1.1 輻射能量損失
2.1.2 電離能量損失
2.2 電子的散射
2.3 γ(X)射線與物質(zhì)相互作用
2.3.1 光電效應(yīng)
2.3.2 康普頓效應(yīng)(又稱康普頓散射)
2.3.3 電子對效應(yīng)
第3章 蒙特卡羅方法
3.1 蒙特卡羅方法簡介
3.2 蒙特卡羅方法介紹
3.2.1 核數(shù)據(jù)與核反應(yīng)
3.2.2 源說明
3.2.3 計數(shù)和輸出
3.2.4 誤差評估
第4章 衛(wèi)星深層充電模擬
4.1 模擬結(jié)構(gòu)
4.1.1 模擬模型
4.1.2 最大電場的計算方法
4.2 參數(shù)的確定
4.2.1 介質(zhì) Epoxy 厚度的選取
4.2.2 屏蔽材料 Al 厚度的確定
4.3 沒有屏蔽,介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的情況
4.4 有屏蔽 Al,介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的情況
4.4.1 介質(zhì)厚度對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.4.2 不同入射電子能量對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.5 有無屏蔽,介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的情況對比
4.5.1 有無屏蔽(Al)對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響的對比
4.5.2 有無屏蔽(Ag)對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.5.3 有無屏蔽(Fe)對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.5.4 有無屏蔽(Organic Glass)對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.6 不同屏蔽材料對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的影響的對比
4.6.1 不同入射電子能量對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的影響的對比
4.6.2 屏蔽厚度對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.7 不同屏蔽(Al)厚度對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的影響的對比
4.8 結(jié)論
參考文獻
附錄
致謝
作者簡介及在學(xué)期間所取得的科研成果
本文編號:3745921
【文章頁數(shù)】:44 頁
【學(xué)位級別】:碩士
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摘要
Abstract
第1章 引言
1.1 研究背景
1.2 研究現(xiàn)狀
1.3 本文研究意義
第2章 射線與物質(zhì)相互作用
2.1 電子的能量損失
2.1.1 輻射能量損失
2.1.2 電離能量損失
2.2 電子的散射
2.3 γ(X)射線與物質(zhì)相互作用
2.3.1 光電效應(yīng)
2.3.2 康普頓效應(yīng)(又稱康普頓散射)
2.3.3 電子對效應(yīng)
第3章 蒙特卡羅方法
3.1 蒙特卡羅方法簡介
3.2 蒙特卡羅方法介紹
3.2.1 核數(shù)據(jù)與核反應(yīng)
3.2.2 源說明
3.2.3 計數(shù)和輸出
3.2.4 誤差評估
第4章 衛(wèi)星深層充電模擬
4.1 模擬結(jié)構(gòu)
4.1.1 模擬模型
4.1.2 最大電場的計算方法
4.2 參數(shù)的確定
4.2.1 介質(zhì) Epoxy 厚度的選取
4.2.2 屏蔽材料 Al 厚度的確定
4.3 沒有屏蔽,介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的情況
4.4 有屏蔽 Al,介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的情況
4.4.1 介質(zhì)厚度對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.4.2 不同入射電子能量對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.5 有無屏蔽,介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的情況對比
4.5.1 有無屏蔽(Al)對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響的對比
4.5.2 有無屏蔽(Ag)對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.5.3 有無屏蔽(Fe)對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.5.4 有無屏蔽(Organic Glass)對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.6 不同屏蔽材料對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的影響的對比
4.6.1 不同入射電子能量對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的影響的對比
4.6.2 屏蔽厚度對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的最大電場的影響
4.7 不同屏蔽(Al)厚度對介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生最大電場的影響的對比
4.8 結(jié)論
參考文獻
附錄
致謝
作者簡介及在學(xué)期間所取得的科研成果
本文編號:3745921
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