在激光-DD團(tuán)簇核聚變研究中,如何提高氘團(tuán)簇與激光相互作用產(chǎn)生的氘離子能量,進(jìn)而提高聚變中子產(chǎn)額,已成為飛秒超強(qiáng)激光驅(qū)動氘核聚變反應(yīng)的研究熱點之一。在一定程度上提高氘團(tuán)簇的粒徑大小,并通過引入高Z原子（含氘異核團(tuán)簇）,可在團(tuán)簇爆炸后利用庫侖排斥作用有效地提高氘離子的能量,進(jìn)一步提高聚變中子的產(chǎn)額。本論文提出一種更重的含氘異核團(tuán)簇——氘化鉺納米團(tuán)簇（Z=68）,并開展其制備技術(shù)基礎(chǔ)研究,得到如下主要結(jié)論:采用直流磁控濺射的方法制備出金屬鉺薄膜,研究了濺射功率對沉積速率以及其薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響。在濺射功率20 W⁶0 W的范圍內(nèi),金屬鉺薄膜呈現(xiàn)柱狀晶生長模式,均為六方密排結(jié)構(gòu),而且具有明顯的（110）晶面擇優(yōu)取向。其微觀結(jié)構(gòu)特征明顯不同于電子束蒸發(fā)等方法制備的金屬鉺薄膜。采用直流磁控濺射的方法制備出氫化鉺薄膜,研究了氫氣流量對薄膜物相組成的影響。當(dāng)氫氣流量增至了3 sccm時,其物相均為氫化鉺相,鉺氫比接近1:2;氫氣流量增至8 sccm時,鉺氫比接近1:3。以上研究驗證了氫（氘）化鉺納米團(tuán)簇的制備的可行性。采用基于高氣壓磁控濺射的等離子體氣相凝聚技術(shù)制備出金屬鉺納米... 

【文章來源】：西南科技大學(xué)四川省

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

氘團(tuán)簇激光聚變原理圖（摘自文獻(xiàn)[20]）

1緒論5圖1-2激光共沉積法制備氫（氘）化鉺薄膜實驗原理圖Fig.1-2Experimentalprinciplediagramoferbiumhydrogen(deuterium)filmdepositedbylaserco-deposition1.4.1.2離子束濺射共沉積離子束濺射沉積是使用離子源將金屬鉺沉積或濺射到基板上，在保持H2（D2）分壓為1.4×104Torr的同時濺射從而形成氫（氘）化鉺薄膜其工作原理如圖1-3所示。由于可以精確的控制束流大小，方向以及離子束的能量，而且濺射出的粒子不需要經(jīng)過碰撞過程直接就可以沉積薄膜，因此與其他PVD（物理氣相沉積）技術(shù)相比，它可以極其精確地控制厚度并沉積非常致密的高質(zhì)量薄膜[53]。但是離子束濺射的缺點是轟擊面積小，沉積速率低，并且設(shè)備復(fù)雜，運行成本高。圖1-3離子束濺射共沉積法制備氫（氘）化鉺薄膜實驗原理圖

1緒論5圖1-2激光共沉積法制備氫（氘）化鉺薄膜實驗原理圖Fig.1-2Experimentalprinciplediagramoferbiumhydrogen(deuterium)filmdepositedbylaserco-deposition1.4.1.2離子束濺射共沉積離子束濺射沉積是使用離子源將金屬鉺沉積或濺射到基板上，在保持H2（D2）分壓為1.4×104Torr的同時濺射從而形成氫（氘）化鉺薄膜其工作原理如圖1-3所示。由于可以精確的控制束流大小，方向以及離子束的能量，而且濺射出的粒子不需要經(jīng)過碰撞過程直接就可以沉積薄膜，因此與其他PVD（物理氣相沉積）技術(shù)相比，它可以極其精確地控制厚度并沉積非常致密的高質(zhì)量薄膜[53]。但是離子束濺射的缺點是轟擊面積小，沉積速率低，并且設(shè)備復(fù)雜，運行成本高。圖1-3離子束濺射共沉積法制備氫（氘）化鉺薄膜實驗原理圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[9]納米晶Cu薄帶的單輥法制備及結(jié)構(gòu)分析[J]. 謝華,羅江山,黎軍,雷海樂,唐永建,王恩澤.  強(qiáng)激光與粒子束. 2006(10)
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碩士論文
[1]CuO納米團(tuán)簇與TiO2納米柱陣列復(fù)合結(jié)構(gòu)的能帶調(diào)制和光催化性能研究[D]. 史鵬軍.山東師范大學(xué) 2018
[2]新型金屬納米材料催化劑物性的分子模擬研究[D]. 魏程程.北京化工大學(xué) 2017
[3]金屬納米顆粒的形狀對表面等離子體共振特性的調(diào)制研究[D]. 張妹景.電子科技大學(xué) 2010



本文編號：3269957