托卡馬克臺基等離子體不穩(wěn)定性的非線性模擬與分析
發(fā)布時間:2021-06-21 21:56
托卡馬克臺基區(qū)等離子體對整體約束起關鍵作用,一方面高臺基頂部壓強(或臺基高度)能增強芯部等離子體約束,另一方面臺基區(qū)大壓強梯度產生強的不穩(wěn)定性,增強熱流和粒子流輸運到第一壁和偏濾器,對邊界材料產生潛在的嚴重損傷。因此,臺基區(qū)等離子體不穩(wěn)定性的研究對實現(xiàn)高約束運行有重要意義,本文使用較高可拓展性的BOUT++雙流體模型框架,深入分析了 EAST和DⅢ-D托卡馬克邊界的線性不穩(wěn)定性和非線性演化過程。臺基不穩(wěn)定性包括氣球模、剝裂模和漂移-阿爾芬波(DAW)等,抗磁效應、剪切阿爾芬波和剪切流等能抑制不穩(wěn)定性。本文首先線性模擬和分析抗磁效應和剪切流對氣球模的影響,色散關系被用于定性分析這些效應的物理機制,得到氣球模和抗磁效應的分析結果與模擬一致。然而,色散關系的局域性,并不適用于研究剪切流的全局作用。為了更精確的分析這些效應的貢獻,以及剪切流對氣球模的影響,本文提出了積分色散關系,即模結構的數值積分解色散關系,得到不同物理項的線性增長率。另外,利用動能在全空間的數值積分,分析不同物理效應對自由能的貢獻。上述線性分析表明氣球模不穩(wěn)定性由曲率驅動,提供自由能;抗磁效應和剪切流抑制曲率驅動,吸收自由能...
【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數】:129 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1托卡馬克(左)和仿星器(右)的磁場幾何位形示意圖⑴
第1章緒?論??子和離子,也可能激發(fā)等離子體不穩(wěn)定性,形成魚骨模等[3^],最終需要通過偏??濾器(Divertor)排出。偏濾器是托卡馬克邊界的一個重要裝置,偏濾器如圖1.2??‘Divertor’所示,另外邊界等離子體打到靶板上產生的雜質,也需要通過偏濾器??排出,否則氦灰和雜質的積累會向內輸運,影響等離子體穩(wěn)定性。??_??圖1.2?CFETR托卡馬克橫截面示意圖,偏濾器為圖中Divertor所示的綠色裝置,Shield??blanket表示包層171。注意,最新的CFETR設計不包括下斜(Port?plug?3)窗口。??目前國內主要運行的磁約束裝置有托卡馬克裝置EAST、HL-2A和J-TEXT??等,反場箍縮裝置KTX。在建的托卡馬克裝置有HL-2M。國際上主要有美國GA??的DIII-D、MIT的Alcator?C-Mod、普林斯頓大學的球馬克NSTX-U、歐盟的JET、??德國的托卡馬克ASDEX-U和仿星器Wendelstein7-X、法國的WEST、瑞士的??TCV和英國的球馬克MAST等。在建的大型托卡馬克有ITER,以及設計中的??CFETR,這兩個裝置都基于目前運行的托卡馬克實驗數據,外推到大尺度裝置,??理論上能實現(xiàn)氘氚核聚變和能量增益。??1_2托卡馬克邊界等離擲簡介??托卡馬克邊界和芯部物理差異比較大,芯部密度和溫度高,碰撞率比較小,??需要考慮等離子體沿磁力線的回旋運動效應,邊界密度和溫度相對較低,碰撞率??比較大,回旋效應相對較弱,電磁流體適用于邊界大部分物理分析。托卡馬克邊??界由臺基區(qū)(Pedestal)和刮削層((SOL)組成,臺基區(qū)如圖1.3所示的Pedesta丨區(qū)??域[
?第1章緒?論???域,等離子體在SOL區(qū)域會沿著磁力線打到偏濾器靶板上,以及徑向輸運到第??一壁。托卡馬克邊界等離子體對整體約束有很重要的作用,一方面邊界等離子??體與壁接觸,邊界等離子體溫度密度越低,對材料損傷也就越校另一方面臺基??頂部等離子體與芯部聯(lián)系,芯部需要高溫高密等離子體發(fā)生聚變反應,高臺基頂??部有利于增大芯部溫度和密度。因此,若臺基區(qū)形成陡的密度溫度梯度,能明顯??提高芯部參數,增加儲能,這種特點的運行模式稱為H模(H-mode)。圖1.3展示??DIII-D中H模(H-mode)和L模(L-mode),相比L模,H模臺基區(qū)電子溫度和密??度梯度比較陡,臺基頂部密度溫度比較高。另外,H模的優(yōu)點是隨著注入功率的??增加,約束性能上升,而L模則會隨著功率上升而下降。因此,H模對提高等離??子體約束有重要意義,本文主要研宄托卡馬克H模放電條件下,邊界等離子體??的不穩(wěn)定性和湍流。??DIII-D??.⑷?二? ̄pedestal??。6.隊’?¥??1.0?M?/?Te(keV)??????。5_^%?:??144977??0.8?0.9?1.0??Radius?(t|>)??圖1.3?DIII-D中電子密度和溫度的H模和L模剖面1*1。??DIII-D托卡馬克中H模放電的不同參量隨時間演化如圖1.4所示,在1000ms??附近,隨著注入功率的增加,等離子體實現(xiàn)了?L模到H模(L-H)轉換,儲能(Stored??energy)和邊界壓強都明顯增加。在H模階段,偏濾器耙板熱通量(Divertor?heat??flux)周期性的爆發(fā),這種現(xiàn)象稱為邊界局域模(ELMs)爆發(fā),ELMs定
本文編號:3241482
【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數】:129 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1托卡馬克(左)和仿星器(右)的磁場幾何位形示意圖⑴
第1章緒?論??子和離子,也可能激發(fā)等離子體不穩(wěn)定性,形成魚骨模等[3^],最終需要通過偏??濾器(Divertor)排出。偏濾器是托卡馬克邊界的一個重要裝置,偏濾器如圖1.2??‘Divertor’所示,另外邊界等離子體打到靶板上產生的雜質,也需要通過偏濾器??排出,否則氦灰和雜質的積累會向內輸運,影響等離子體穩(wěn)定性。??_??圖1.2?CFETR托卡馬克橫截面示意圖,偏濾器為圖中Divertor所示的綠色裝置,Shield??blanket表示包層171。注意,最新的CFETR設計不包括下斜(Port?plug?3)窗口。??目前國內主要運行的磁約束裝置有托卡馬克裝置EAST、HL-2A和J-TEXT??等,反場箍縮裝置KTX。在建的托卡馬克裝置有HL-2M。國際上主要有美國GA??的DIII-D、MIT的Alcator?C-Mod、普林斯頓大學的球馬克NSTX-U、歐盟的JET、??德國的托卡馬克ASDEX-U和仿星器Wendelstein7-X、法國的WEST、瑞士的??TCV和英國的球馬克MAST等。在建的大型托卡馬克有ITER,以及設計中的??CFETR,這兩個裝置都基于目前運行的托卡馬克實驗數據,外推到大尺度裝置,??理論上能實現(xiàn)氘氚核聚變和能量增益。??1_2托卡馬克邊界等離擲簡介??托卡馬克邊界和芯部物理差異比較大,芯部密度和溫度高,碰撞率比較小,??需要考慮等離子體沿磁力線的回旋運動效應,邊界密度和溫度相對較低,碰撞率??比較大,回旋效應相對較弱,電磁流體適用于邊界大部分物理分析。托卡馬克邊??界由臺基區(qū)(Pedestal)和刮削層((SOL)組成,臺基區(qū)如圖1.3所示的Pedesta丨區(qū)??域[
?第1章緒?論???域,等離子體在SOL區(qū)域會沿著磁力線打到偏濾器靶板上,以及徑向輸運到第??一壁。托卡馬克邊界等離子體對整體約束有很重要的作用,一方面邊界等離子??體與壁接觸,邊界等離子體溫度密度越低,對材料損傷也就越校另一方面臺基??頂部等離子體與芯部聯(lián)系,芯部需要高溫高密等離子體發(fā)生聚變反應,高臺基頂??部有利于增大芯部溫度和密度。因此,若臺基區(qū)形成陡的密度溫度梯度,能明顯??提高芯部參數,增加儲能,這種特點的運行模式稱為H模(H-mode)。圖1.3展示??DIII-D中H模(H-mode)和L模(L-mode),相比L模,H模臺基區(qū)電子溫度和密??度梯度比較陡,臺基頂部密度溫度比較高。另外,H模的優(yōu)點是隨著注入功率的??增加,約束性能上升,而L模則會隨著功率上升而下降。因此,H模對提高等離??子體約束有重要意義,本文主要研宄托卡馬克H模放電條件下,邊界等離子體??的不穩(wěn)定性和湍流。??DIII-D??.⑷?二? ̄pedestal??。6.隊’?¥??1.0?M?/?Te(keV)??????。5_^%?:??144977??0.8?0.9?1.0??Radius?(t|>)??圖1.3?DIII-D中電子密度和溫度的H模和L模剖面1*1。??DIII-D托卡馬克中H模放電的不同參量隨時間演化如圖1.4所示,在1000ms??附近,隨著注入功率的增加,等離子體實現(xiàn)了?L模到H模(L-H)轉換,儲能(Stored??energy)和邊界壓強都明顯增加。在H模階段,偏濾器耙板熱通量(Divertor?heat??flux)周期性的爆發(fā),這種現(xiàn)象稱為邊界局域模(ELMs)爆發(fā),ELMs定
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