MEMS加速度計傳感器作為現(xiàn)代微型慣性測量設(shè)備中的關(guān)鍵器件，以其體積小、重量輕、成本低、功耗低、與集成電路工藝兼容等優(yōu)勢被廣泛應(yīng)用在汽車、醫(yī)療、航空、軍事國防等多個領(lǐng)域。因此，MEMS加速度計具有非常重要的研究意義和價值。本文根據(jù)加速度計的基本原理，提出了如何測試MEMS地震檢波器，對MEMS電容式加速度計結(jié)構(gòu)和讀出電路進(jìn)行了詳細(xì)的闡述，分析了阻尼系數(shù)、彈性梁剛度系數(shù)理論計算模型，介紹了微小電容檢測的方法，在此基礎(chǔ)上提出了一種以開關(guān)電容放大器為基礎(chǔ)的讀出電路的具體結(jié)構(gòu)，并分析了機(jī)械噪聲和電路噪聲。本文對測試方法及內(nèi)容進(jìn)行了設(shè)計研究。通過采集系統(tǒng)完成了數(shù)字檢波器噪音、抗干擾、震動臺測試及數(shù)字檢波器特性的測試，研究MEMS檢波器動態(tài)參數(shù)及測試方法,通過對地震勘探MEMS檢波器進(jìn)行動態(tài)性能分析,介紹頻率范圍、失真度系數(shù)、動態(tài)范圍的測試方法,實際的測量結(jié)果證明了測試方法的正確性和可行性。 

【文章來源】：西安石油大學(xué)陜西省

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

MEMS加速度計傳感器的二階質(zhì)量-彈簧-阻尼系統(tǒng)模型

SOI 工藝結(jié)合了體硅和表面娃工藝的優(yōu)勢，通過深反應(yīng)離子刻燭工藝的結(jié)構(gòu)，從而可以實現(xiàn)大質(zhì)量的器件，對于慣性傳感器而言可以提高系 SOI 工藝采用了表面桂工藝中的犧牲層技術(shù)，使得結(jié)構(gòu)的釋放更徹底還可以采用深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將器件結(jié)構(gòu)對應(yīng)的襯底刻蝕掉，從而提高傳感器的品質(zhì)因子。對于 SOI MEMS 的研究，ADI 公司從 2000 年 MEMS 核心技術(shù)，其代表就是第四代加速度計 ADXL40，該加速度計的度和自測試均是利用片上的多晶硅溶絲進(jìn)行修調(diào)，可以消除封裝對器

開環(huán)方式

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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[2]基于MEMS的地震檢波器研究與設(shè)計[D]. 劉麗娟.中國海洋大學(xué) 2010
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[4]陸地地震檢波器應(yīng)用研究[D]. 羅蘭兵.吉林大學(xué) 2005



本文編號：3542758