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湘西北巖溶石山缺水地區(qū)直流電法找水實(shí)例

發(fā)布時間:2021-11-28 12:53
  湘西北巖溶石山缺水地區(qū)地形條件復(fù)雜,電磁干擾較強(qiáng),在地下水勘查工作中,優(yōu)先選用抗干擾能力較強(qiáng)的直流電法較為適宜。工程實(shí)踐表明:在地勢相對較緩且勘探深度相對較淺(0~150m左右)時,采用小極距視電阻率聯(lián)合剖面法+高密度電阻率法;在地形條件較差或勘探深度相對較深(0~400 m左右)時,采用小極距聯(lián)合剖面法+三極激電測深法,并進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆囱菖c解釋,既可提高工作效率又解決了實(shí)際問題,取得了較好的找水效果。 

【文章來源】:物探與化探. 2020,44(06)北大核心

【文章頁數(shù)】:7 頁

【部分圖文】:

湘西北巖溶石山缺水地區(qū)直流電法找水實(shí)例


圖4?B村6線聯(lián)合剖面曲線??Fig.4?Joint?profile?curve?of?village?B?line?6??

斷面圖,高密度,剖面曲線,斷面


 ̄ ̄1? ̄ ̄。? ̄ ̄I ̄ ̄1? ̄ ̄I ̄ ̄1? ̄ ̄I ̄ ̄1? ̄ ̄I ̄ ̄1? ̄ ̄I ̄ ̄1? ̄ ̄I ̄ ̄1? ̄ ̄I??900?1000?1100?1200?1300?點(diǎn)號??距離/m??800?900?1000?1100?1200?1300?1400??50-??13000??2550??12100?^??1650?g??1200??I?750??i450??0??距離/m??800?900?1000?1100?1200?1300?1400??圖2?A村4線聯(lián)合剖面曲線(a)、高密度視電阻率擬斷面(b)、高密度電阻率反演斷面(c)??Fig.2?Joint?profile?curve?(a)?,?high?density?apparent?resistivity?profile?(b)?and?inversion?profile?(c)?of?village?A?line?4??好。,因此,水文地質(zhì)鉆孔ZKl位置選釋.4線1120??點(diǎn),象鈷探驗(yàn)證及抽水試驗(yàn);地下122 ̄?185?m處解??蝕裂隙發(fā)育,涌水量為470?t/d,可解決約3?000人的??飲水問題6??2.2聯(lián)合剖面法+三極激電測深找水實(shí)例一??湘西北B村為千旱缺水村.,屬于瘠蝕構(gòu)造遨中??低山ft陡坡峰叢峽谷,該村附近有一條NE向溝谷,??延伸長度約4?kra,溝谷東南側(cè)為畬_超過120?m的??急陡坡峰,無法展布測線,村子上査有10?kV電力線??及少遺220?V民用電力線穿過,電磁干擾較強(qiáng)(國??3)s根據(jù)地質(zhì)資料.,該村出露地層巖牲主要為寒武??系白云巖、白云質(zhì)灰?guī)rf地下水ft埋深約15?地??質(zhì)人員推斷溝

地質(zhì)圖,地質(zhì),灰?guī)r


6期??李望明等:湘西北巖溶石山缺水地區(qū)直流電法找水實(shí)例????1297????距離/m??1250?1300??(b)激電測深反演斷面??距離/m??1200?1250?1300??圖5?B村6線三極激電測深擬斷面與反演斷面??Fig.5?Pseudo?section?and?inversion?section?of?village?B?line?6??距離/m??1200?SKI?1300??目第四系??寒武系白云巖、??^白云質(zhì)灰?guī)r??□3航??圖6?B村6線地質(zhì)推斷結(jié)果??Fig.6?Geological?inference?results?of?village?B?line?6??阻異常為斷層的反映,斷層傾向:fis('太號M衣?lián)晿O??化率擬斷商■分析,127〇點(diǎn)視極化率絞高,推斷其霄??水??1K1鉆孔隹難定_6?—?1270獻(xiàn):斷:層上獻(xiàn)),??餐截MfiE,?43.5? ̄?52..9?ra?為斷:裂蒂?f?52.9? ̄?98.7?m?濟(jì)??蝕裂瞭發(fā)曹,鉆探至115?ra后,.經(jīng)抽水試驗(yàn)涌水量為??220?t/tl,超過100?t/d的設(shè)計(jì)要求,選擇終孔。??2.3聯(lián)合剖面法+三極激電測深找水實(shí)例二??湘西北C村為干阜缺水村,肩于溶蝕構(gòu)造虐中低??山急陡坡峰叢峽谷,地形條件較氧電磁干擾較強(qiáng)(圖??7)*根據(jù)地質(zhì)資料:該村出露地層巖性主要為奧陶系??灰?guī)r、泥質(zhì)灰?guī)r,烏部有志留系砂頁巖覆盞T奧陶系??灰?guī)r上,地質(zhì)調(diào)寶資料顯沄該村附近有NW向斷層或??裂隙帶。率次勘If要求出水^1?〇〇〇?t/d,擬勘探深??度為300?m,找水思路:摞測NW向斷層或裂隙帶的位??纖傾向,弁依據(jù)視極化

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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碩士論文
[1]高密度電阻率法的主要裝置特點(diǎn)與應(yīng)用[D]. 王宇璽.成都理工大學(xué) 2010



本文編號:3524462

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