利用高密度電法溫納裝置,結(jié)合第四系電阻率分布特征,并在有效探測(cè)深度范圍內(nèi),研究高密度電法測(cè)量溫納裝置對(duì)工作區(qū)內(nèi)基巖面起伏情況及完整性的判別效果;最終通過數(shù)據(jù)處理,反演解譯,結(jié)合已有的水文、地質(zhì)等其他方面的資料和附近現(xiàn)有水井的相關(guān)情況,圈定工作區(qū)內(nèi)第四系地下水儲(chǔ)存的有利位置。根據(jù)異常對(duì)比解譯、確定目標(biāo)體范圍、經(jīng)過鉆孔驗(yàn)證:高密度電法溫納裝置對(duì)基巖面的區(qū)分反應(yīng)明顯,對(duì)較淺層地下水儲(chǔ)存位置的確定較為準(zhǔn)確,為以后需找類似地層地下水起到了一定參考依據(jù)。 

【文章來源】：四川地質(zhì)學(xué)報(bào). 2020,40(02)

【文章頁(yè)數(shù)】：3 頁(yè)

【部分圖文】：

GD00剖面電阻率ρs反演結(jié)果斷面圖

在剖面200～700m處有一相對(duì)低阻異常（藍(lán)線區(qū)域），此異常上部寬500m，下部寬400m，下延深度超過150m（未見底），異常周圍梯度變化較平緩，異常相對(duì)分散，無明顯的異常峰值，整體在300-800Ω·m，結(jié)合第四系分層規(guī)律，此層為砂卵石層。和GD00剖面750～1160m處的相對(duì)低阻異常具有相同的特征和成因，為地下水儲(chǔ)存有利部位[3]。此剖面緊鄰正在生產(chǎn)的砂廠南邊，砂廠有正在供水的水井，此水井離本剖面垂直距離150m左右，在剖面的垂直投影為剖面690m處（見圖粉色線條），此井深80m左右，45m見水，日出水量1500m3左右。由圖2，砂廠水井位置靠近儲(chǔ)水有利部位邊緣，水量較大。表明此儲(chǔ)水有利部位，水量足夠，在此區(qū)域打井成功率高。基于上水情況，并考慮到水井的影響半徑，在本剖面的272m(ZK5）和592m(ZK4)處布設(shè)了驗(yàn)證孔，分別在120m、135m處見到地下水。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]高密度電法在地下水勘查中的成功運(yùn)用與驗(yàn)證效果[J]. 黃啟霖,楊武,宋順昌.  有色金屬文摘. 2015(03)

碩士論文
[1]高密度電阻率法反演成像及其應(yīng)用[D]. 劉蕾.成都理工大學(xué) 2003



本文編號(hào)：3373195