多種非震方法在山東齊河地?zé)峥辈橹械膽?yīng)用
發(fā)布時間:2021-04-01 06:07
非震地球物理勘探方法是目前地?zé)峥辈榈挠行侄。本文以山東齊河榮盛溫泉小鎮(zhèn)為例,針對該區(qū)斷裂較為發(fā)育,地層橫向變化大,地質(zhì)條件復(fù)雜的難點問題,綜合考慮地層電性和地層速度差異特征,采取"兩步走"方式進(jìn)行地?zé)峥辈。第一步利用電磁方法查明研究區(qū)斷裂構(gòu)造位置和熱儲埋深,初步圈定有利的富水區(qū)域;第二步通過地微動方法驗證斷裂和地層的展布特征,縮小目標(biāo)靶區(qū),為地?zé)峋荚O(shè)提供充實的依據(jù)。經(jīng)鉆井表明,多種非震方法相結(jié)合具有較好的應(yīng)用效果,為今后復(fù)雜地質(zhì)條件的地?zé)峥碧教峁┝擞欣膮⒖純r值和重要的借鑒意義。
【文章來源】:物探與化探. 2020,44(04)北大核心
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
齊河地區(qū)構(gòu)造地質(zhì)簡圖
以L11和L20兩條剖面為例(圖2),本區(qū)電阻率剖面縱向上具有低—中—高三分電性特征,橫向上近水平展布略有起伏變化。第一層是低阻層,厚度較穩(wěn)定,約800~1 000 m,推斷為第四系—新近系的黏土、砂巖反應(yīng),其中淺地表相對高阻為地表建筑物堆積引起的。第二層為中阻層,橫向厚度變化較大,L11剖面以點號1 800為界、L20剖面以點號2 300為界—中阻層北深南淺、西深東淺,反應(yīng)北部、西部地層埋藏深,厚度較大,結(jié)合地質(zhì)資料和已知鉆孔信息推斷為侏羅系—二疊系—石炭系地層,奧陶系頂埋深2 000 m以深;南部、東部地層埋藏淺,厚度相對薄,推斷為二疊系—石炭系地層,奧陶系頂埋深1 800 m以淺。第三層為高阻層,電阻率基本在200 Ω·m以上,結(jié)合已知地質(zhì)資料分析認(rèn)為是奧陶系—寒武系灰?guī)r的反應(yīng)。根據(jù)斷裂發(fā)育處會引起電阻率等值線波動或梯級變化的原則,認(rèn)為L11剖面由南往北發(fā)育F22、F11、F12三條斷裂,L20剖面由西往東發(fā)育F13、F21、F12、F11、F22五條斷裂。圖3為視電阻率垂直電測深剖面,該剖面布設(shè)于L20線1 600~3 100 點附近。通過分析視電阻等值線在不同極距下的電性變化,結(jié)合地球物理特征,對剖面進(jìn)行了地層和斷裂解釋。綜合圖2和圖3可以看出,兩種方法在識別斷裂帶發(fā)育位置、地層變化情況時具有較好的一致性,表明CSAMT剖面解釋的準(zhǔn)確性和可靠性,起到了良好的對比驗證效果。圖3 垂直電測深電阻率等值線斷面圖及解釋圖
圖2 CSAMT方法L11線(左)、L20線(右)反演電阻率剖面及解釋圖基于對反演電阻率剖面地層和斷裂的解釋,結(jié)合不同深度的視電阻率值水平切片綜合判斷斷裂分布規(guī)律、奧陶系頂面埋深及地?zé)岙惓L卣?圖4)。研究區(qū)主要發(fā)育NE向F11、F12、F13、F14斷裂和NW向F21、F22斷裂。各平面圖由淺及深電阻率值呈現(xiàn)由低到高的變化趨勢,平面上以F12斷裂為界線,電阻率整體表現(xiàn)為西低東高,F12西部熱儲蓋層為第四系—新近系、石炭—二疊—侏羅系沉積地層,F12東部熱儲蓋層為第四系—新近系、石炭—二疊系沉積地層,與已知井ZK311、齊熱1、國科1資料對應(yīng)較好。平面圖顯示在F12附近及其東部區(qū)域,電阻率值相對較高,存在局部的低阻異常,認(rèn)為該區(qū)域地層巖性破碎,裂隙發(fā)育,易形成富水區(qū),是地?zé)峥碧街攸c區(qū)域;西部地層中存在明顯的近SN向低阻異常帶,該異常帶南窄北寬,是F13、F14、F21、F22斷裂的綜合作用,為典型的斷裂破碎帶及影響帶特征,推斷該異常區(qū)域內(nèi),基巖破碎,斷裂構(gòu)造發(fā)育,奧陶系頂埋深局部大于2 600 m。利用電磁方法對剖面上和平面上的電阻異常特征進(jìn)行描述,圈定了高阻層中相對低阻異常帶,實現(xiàn)了富水區(qū)域初步預(yù)測。
本文編號:3112817
【文章來源】:物探與化探. 2020,44(04)北大核心
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
齊河地區(qū)構(gòu)造地質(zhì)簡圖
以L11和L20兩條剖面為例(圖2),本區(qū)電阻率剖面縱向上具有低—中—高三分電性特征,橫向上近水平展布略有起伏變化。第一層是低阻層,厚度較穩(wěn)定,約800~1 000 m,推斷為第四系—新近系的黏土、砂巖反應(yīng),其中淺地表相對高阻為地表建筑物堆積引起的。第二層為中阻層,橫向厚度變化較大,L11剖面以點號1 800為界、L20剖面以點號2 300為界—中阻層北深南淺、西深東淺,反應(yīng)北部、西部地層埋藏深,厚度較大,結(jié)合地質(zhì)資料和已知鉆孔信息推斷為侏羅系—二疊系—石炭系地層,奧陶系頂埋深2 000 m以深;南部、東部地層埋藏淺,厚度相對薄,推斷為二疊系—石炭系地層,奧陶系頂埋深1 800 m以淺。第三層為高阻層,電阻率基本在200 Ω·m以上,結(jié)合已知地質(zhì)資料分析認(rèn)為是奧陶系—寒武系灰?guī)r的反應(yīng)。根據(jù)斷裂發(fā)育處會引起電阻率等值線波動或梯級變化的原則,認(rèn)為L11剖面由南往北發(fā)育F22、F11、F12三條斷裂,L20剖面由西往東發(fā)育F13、F21、F12、F11、F22五條斷裂。圖3為視電阻率垂直電測深剖面,該剖面布設(shè)于L20線1 600~3 100 點附近。通過分析視電阻等值線在不同極距下的電性變化,結(jié)合地球物理特征,對剖面進(jìn)行了地層和斷裂解釋。綜合圖2和圖3可以看出,兩種方法在識別斷裂帶發(fā)育位置、地層變化情況時具有較好的一致性,表明CSAMT剖面解釋的準(zhǔn)確性和可靠性,起到了良好的對比驗證效果。圖3 垂直電測深電阻率等值線斷面圖及解釋圖
圖2 CSAMT方法L11線(左)、L20線(右)反演電阻率剖面及解釋圖基于對反演電阻率剖面地層和斷裂的解釋,結(jié)合不同深度的視電阻率值水平切片綜合判斷斷裂分布規(guī)律、奧陶系頂面埋深及地?zé)岙惓L卣?圖4)。研究區(qū)主要發(fā)育NE向F11、F12、F13、F14斷裂和NW向F21、F22斷裂。各平面圖由淺及深電阻率值呈現(xiàn)由低到高的變化趨勢,平面上以F12斷裂為界線,電阻率整體表現(xiàn)為西低東高,F12西部熱儲蓋層為第四系—新近系、石炭—二疊—侏羅系沉積地層,F12東部熱儲蓋層為第四系—新近系、石炭—二疊系沉積地層,與已知井ZK311、齊熱1、國科1資料對應(yīng)較好。平面圖顯示在F12附近及其東部區(qū)域,電阻率值相對較高,存在局部的低阻異常,認(rèn)為該區(qū)域地層巖性破碎,裂隙發(fā)育,易形成富水區(qū),是地?zé)峥碧街攸c區(qū)域;西部地層中存在明顯的近SN向低阻異常帶,該異常帶南窄北寬,是F13、F14、F21、F22斷裂的綜合作用,為典型的斷裂破碎帶及影響帶特征,推斷該異常區(qū)域內(nèi),基巖破碎,斷裂構(gòu)造發(fā)育,奧陶系頂埋深局部大于2 600 m。利用電磁方法對剖面上和平面上的電阻異常特征進(jìn)行描述,圈定了高阻層中相對低阻異常帶,實現(xiàn)了富水區(qū)域初步預(yù)測。
本文編號:3112817
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