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41. GaN基LED外延片的光學(xué)電學(xué)和應(yīng)力研究
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42. 基于耦合量子阱的GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED器件研究
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43. GaN/Si基綠光LED外延設(shè)計(jì)與效率提升研究
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44. 位錯(cuò)類型對(duì)GaN基藍(lán)光LED光效衰減效應(yīng)的影響
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45. 中高溫GaN插入層厚度對(duì)藍(lán)光LED光電性能的影響
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46. 納米柱結(jié)構(gòu)增強(qiáng)GaN基綠光LED內(nèi)量子效率的研究
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47. 壘溫對(duì)硅襯底GaN基藍(lán)光LED發(fā)光效率的影響
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48. 壘結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底GaN基綠光LED性能的影響
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49. 中高溫插入層對(duì)GaN基藍(lán)光LED光電性能的影響
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50. GaN基LED不同功能層的MOCVD生長(zhǎng)及其性能研究
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