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271. SiC漿料的流變性能研究
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272. 串聯(lián)SiC MOSFET驅動研究
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273. SiC材料缺陷誘導磁性研究
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274. Ge/SiC界面態(tài)分析
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275. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO 2 界面附近陷阱俘獲和1/f噪聲相關性研究
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276. 固溶溫度及SiC含量對粉末冶金SiC/Al-Mg基復合材料組織與性能的影響
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277. Al-Si合金力學行為對Si相形貌敏感性的差異
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278. 先驅體浸漬-裂解SiC界面改性涂層對氣相滲硅3D-C f /SiC復合材料力學性能的影響
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279. Si含量對Al-Si-Mg合金鑄造組織與性能的影響
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280. Si/Si 1-x Ge x 量子阱APD增強紅外吸收的研究
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