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101. 準(zhǔn)備層及量子阱區(qū)生長條件對Si襯底GaN基LED性能影響的研究
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102. 襯底切偏角和p型歐姆接觸對Si襯底GaN基LED性能穩(wěn)定性的影響
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103. 低溫GaN成核層MOCVD生長工藝對GaN外延薄膜影響的研究
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104. 用于GaN功率開關(guān)的低損耗高頻全GaN柵極驅(qū)動器
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105. 摻雜GaN和GaN/ZnO界面光電性質(zhì)的第一性原理研究
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106. 基于自支撐GaN和藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN MISHEMT器件對比
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107. 新型本征GaN帽層AlGaN/GaN HEMTs結(jié)構(gòu)設(shè)計及實驗研究
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108. 基于AlN和GaN形核層的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件對比
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109. Cas-GAN:一種基于GAN和強化學(xué)習(xí)的對話管理策略學(xué)習(xí)方法
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110. p-GaN帽層增強型GaN HEMT器件柵結(jié)構(gòu)與鈍化研究
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