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薄皮甜瓜嫁接體砧穗愈合過程中的親和生理機(jī)制研究

發(fā)布時(shí)間:2020-05-26 04:32
【摘要】:為明確影響薄皮甜瓜嫁接親和與不親和的關(guān)鍵因子,闡明薄皮甜瓜嫁接體砧穗愈合的親和機(jī)理,為薄皮甜瓜砧木選育和促進(jìn)嫁接栽培在甜瓜上的推廣和應(yīng)用提供理論參考,本研究以薄皮甜瓜“青玉甜寶”(Cucumis melo L.)為接穗,以課題組前期篩選出來的親和砧木“AH”(Lagenariasiceraria var.hispida.)和不親和砧木“H02”(Lagenaria siceraria var.hispida.)為砧木,構(gòu)建親和嫁接組合(C/A)、不親和嫁接組合(C/H),同時(shí)以“青玉甜寶”“AH”和“H02”自根嫁接苗(C/C、A/A、H/H)和自傷體(C、A、H)為參照,對(duì)薄皮甜瓜親和嫁接體和不親和嫁接體在砧穗愈合過程中(第1d、3d、5d及7d)砧穗愈合部位的組織學(xué)、細(xì)胞學(xué)、相關(guān)酶活性及激素含量的差異和變化進(jìn)行了比較研究,主要結(jié)果如下:1.將砧穗嫁接組合和自根嫁接組合嫁接后不同時(shí)期的砧穗愈合部位制作石蠟切片,結(jié)果顯示親和嫁接組合(C/A)與自嫁體(A/A、C/C)在嫁接后7d內(nèi)組織學(xué)變化相似,三者均在嫁接后第1d形成隔離層,第3d愈傷組織形成,隔離層逐漸消失,第5d隔離層基本消失,第7d維管束橋已經(jīng)形成,預(yù)示嫁接成功;而(H/H)在嫁接后第5d才形成愈傷組織,第7d出現(xiàn)維管束分化;不親和嫁接組合(C/H)在嫁接后第1d也形成隔離層,但隔離層顏色深且厚,至第5d才開始形成愈傷組織,至第7d時(shí)維管束分化仍然不明顯,未形成維管束橋,且隔離層仍然明顯存在。2.活性氧代謝和保護(hù)酶活性的研究表明,親和的嫁接組合(C/A)、自嫁體(A/A、C/C)及A自傷在嫁接或處理后接穗莖(Ss)、砧穗愈合部位(G)和砧木莖(Rs)各個(gè)部位的O_2~-生成速率和H_2O_2含量逐漸下降,SOD、POD、CAT及APX等保護(hù)性酶的活性隨著天數(shù)均呈增加狀態(tài);不親和的嫁接組合(C/H)、自嫁體(H/H)不同部位O_2~-生成速率和H_2O_2含量隨著天數(shù)在逐漸升高,SOD、POD、CAT的活性隨著天數(shù)逐漸降低,APX活性則呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢(shì);H自傷不同部位O_2~-生成速率和H_2O_2含量、SOD、POD、APX活性均隨著天數(shù)逐漸升高,CAT活性呈現(xiàn)先升高后降低的趨勢(shì)。3.對(duì)不同處理不同部位激素含量的檢測(cè)表明,親和的嫁接組合(C/A)、自嫁體(A/A、C/C)及A自傷和C自傷嫁接或處理后Ss、G、Rs各個(gè)部位的CTK、GA和ZT含量隨著嫁接天數(shù)呈現(xiàn)逐漸增加的趨勢(shì):親和的嫁接組合(C/A)、自嫁體(A/A、C/C)、A自傷和C自傷在嫁接或處理后不同部位各激素含量以部位G的增幅尤為明顯;不親和的嫁接組合(C/H)、自嫁體(H/H)和H自傷G部位這三種激素含量在嫁接或處理后隨著天數(shù)逐漸降低,其含量在Ss和Rs部位從第1d開始隨著天數(shù)緩慢增加,但增加幅度明顯小于其他處理;親和的嫁接組合(C/A)、自嫁體(A/A、C/C)、A自傷在和C自傷在嫁接或處理后G部位IAA的含量從第1d開始隨著天數(shù)逐漸下降;不親和嫁接組合(C/H)、自嫁體(H/H)和H自傷在嫁接或處理后G部位的IAA含量在嫁接后7d內(nèi)呈現(xiàn)逐漸增加的趨勢(shì),且增幅明顯。綜上所述,薄皮甜瓜親和嫁接體在嫁接后3d內(nèi)迅速形成愈傷組織并進(jìn)行分化,7d即可實(shí)現(xiàn)維管束橋的連通,進(jìn)行水分養(yǎng)分的運(yùn)輸和交換,這可能與嫁接后砧穗愈合部位較高的保護(hù)酶活性和生長(zhǎng)激素,如CTK、GA和ZT含量密切相關(guān),但保護(hù)酶活性和生長(zhǎng)激素參與薄皮甜瓜嫁接體砧穗親和的具體作用還需要進(jìn)一步研究。
【圖文】:

嫁接口,石蠟切片,橫切面


圖2-1自嫁接組合C/C嫁接后不同天數(shù)嫁接口橫切面石蠟切片觀察(200x)Figure.邋2-1邋Paraffin邋section邋observation邋of邋transverse邋sections邋of邋grafted邋joints邋at邋difdays邋after邋grafting邋of邋self-grafting邋combination邋C/C邋(200邋x)逡逑注:A.嫁接后第Id;邋B.嫁接后第3d;邋C.嫁接后第5d;邋D.嫁接后第7山下ote:邋A.邋Id邋after邋grafting;邋B.邋3d邋after邋grafting;邋C.邋5d邋after邋grafting;邋D.邋7d邋after邋grathe邋same邋below.逡逑li逡逑

隔離層,嫁接口,石蠟切片,橫切面


Figure.邋2-2邋Paraffin邋section邋observation邋of邋transverse邋sections邋of邋grafted邋joints邋at邋different逡逑days邋after邋grafting邋of邋self-grafting邋combination邋A/A邋(200邋x)逡逑由圖2-1和2-2可知,自嫁接植株A/A和C/C在嫁接后7d內(nèi)組織學(xué)變化與親和嫁逡逑接組合C/A相似,,二者均在嫁接后第Id形成隔離層;第3d愈傷組織^u始形成,隔離層逡逑逐漸消失;第5d隔離層基本消失;第7d維管束橋已經(jīng)形成,表示嫁接成功。逡逑12逡逑
【學(xué)位授予單位】:廣西大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:S652

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2681279

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