2016～2017年,在大田微區(qū)PVC管栽條件下,采用裂區(qū)試驗(yàn)設(shè)計,主區(qū)為玉米自交系,裂區(qū)為水分處理,測定根系形態(tài)、根冠生長配比和產(chǎn)量等指標(biāo)。研究結(jié)果表明,與耐旱性較弱的玉米自交系CML58相比,耐旱性較強(qiáng)的玉米自交系黃早四在水分脅迫后有效氣生根根夾角增大明顯,其根數(shù)、根長和根表面積等形態(tài)指標(biāo)降幅峰值均早于CML58,40 cm以下土層的根長、根表面積和根體積降幅明顯小于CML58,且0～20 cm土層的根系生長冗余在乳熟期后顯著少于CML58,其根冠干重比降幅、根冠長度比和根冠面積比均高于CML58,根冠角度比較CML58小39.4%。與CML58相比,黃早四水分脅迫后能較好地調(diào)控有效氣生根角度,及時調(diào)控根冠縱橫生長,維持根系主要分布區(qū)結(jié)構(gòu)與功能,提高深層根系分布比,減少根系生長冗余,提高物質(zhì)轉(zhuǎn)化效率。 

【文章來源】：玉米科學(xué). 2020,28(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【部分圖文】：

水分脅迫對不同耐旱型玉米自交系根長和根表面積的影響

R1至R5期，黃早四平均根尖數(shù)(111 912.0個)比CML58(102 897.6個)多。與CK處理相比，水分脅迫下黃早四根尖數(shù)平均降幅(45.8%)高于CML58(27.8%)。黃早四與CML58根尖數(shù)較CK處理降幅較高時期分別為R1期(53.4%)和R5期(45.0%)。在CK和WS處理下，41～90 cm土層，黃早四根尖數(shù)占地下所有土層根尖數(shù)百分比分別比CML58高9.4%和18.2%(圖4)。2.1.4 根系生長冗余

成熟期，兩品系根冠干重比差異顯著(P=0.012 2)，不同水分處理下，黃早四平均根冠干重比(0.054)比CML58(0.082)低(圖5)。水分處理間根冠干重比差異顯著(P=0.031 1)。與CK處理相比，WS處理下黃早四根冠干重比下降幅度(54.9%)高于CML58(6.0%)。在CK處理下，兩個品系根冠干重比差異不顯著；在WS處理下，黃早四根冠干重比(0.033)比CML58(0.080)低58.3%，且差異達(dá)極顯著水平(P=0.008 2)。R1和R3期，黃早四平均根冠長度比(10.7)高于CML58(7.9)。在R1期，兩個品系和水分脅迫處理間根冠長度比差異均極顯著(P品系=0.000 1;P水分處理=0.000 5)，且品系與水分處理的交互作用也達(dá)極顯著水平(P=0.000 6)。與CK處理相比，WS處理下黃早四根冠長度比平均下降23.3%，在R1期降幅較大(44.9%);CML58根冠長度比平均下降10.1%，在R3期降幅(17.8%)較明顯。在CK和WS處理下，黃早四平均根冠長度比分別比CML58高60.1%和21.6%，尤其表現(xiàn)在R1期。

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