基于雙重預測PI的單晶硅直徑控制系統(tǒng)
本文關鍵詞:基于雙重預測PI的單晶硅直徑控制系統(tǒng)
更多相關文章: 單晶硅生長爐 直徑 雙重控制 雙重預測PI控制 OPTO22
【摘要】:單晶硅是微電子產(chǎn)業(yè)和太陽能電池的基礎原材料,主要通過直拉法生產(chǎn)。在單晶硅的制備過程中,氬氣的流動、坩堝的旋轉(zhuǎn)造成爐內(nèi)熱場梯度的波動,加之熱傳遞的容性和滯后,因此過程對象的大慣性、大滯后、非線性及多干擾成為控制的難點。液面溫度和拉晶速度不僅關系到硅棒的直徑,還影響到單晶硅的原子排列結構。液面溫度越高,直徑越小,拉晶速度慢,直徑越大,如何協(xié)調(diào)控制好液面溫度和拉速是直拉式單晶硅生產(chǎn)爐控制的重點。本文首先描述了雙重控制系統(tǒng)的基本結構并分析其原理,從理論層面分析了其性能特點。比較了預測PI控制和史密斯預估器對遲滯系統(tǒng)的控制效果。然后對熱場溫度和液面溫度的準確測量提出基于卡爾曼濾波的解決思路。根據(jù)直拉式單晶硅棒的生產(chǎn)特點,結合雙重控制的基本思想,采用直徑和拉晶速度兩個操縱變量,綜合直徑控制速度快、溫度控制抗熱場干擾的優(yōu)點,協(xié)調(diào)控制液面溫度和拉晶速度,提高了系統(tǒng)的工作頻率。采用兩層串級系統(tǒng),快速抑制熱場溫度和液面溫度的擾動。對于過程對象的遲滯和干擾,采取預測PI控制算法。以雙重控制系統(tǒng)作為系統(tǒng)的控制結構,主控制器和副控制器均采用預測PI算法,從而提出雙重預測PI控制系統(tǒng)的概念,本文詳細推導了雙重控制系統(tǒng)中,在主控制器采用預測PI控制算法的情況下,副控制回路的對象模型,為副控制器的選擇和參數(shù)整定提供了理論依據(jù);谥崩絾尉Ч枭L爐的雙重控制,快則治標:以拉速-直徑環(huán)作為主控制環(huán),快速應對控制系統(tǒng)內(nèi)的各種擾動;緩則治本:以溫度-直徑-拉速作為副控制環(huán),盡量使拉速處于理想狀態(tài),平穩(wěn)快速的克服控制系統(tǒng)中熱場的擾動,保證單晶硅棒的產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。本文通過仿真詳細比較了不同副控制器的控制作用,驗證了雙重預測PI控制系統(tǒng)的快速性和魯棒性。為了更加貼合工程實際,本文開發(fā)了一套實時監(jiān)控軟件。其中,控制器硬件采用OPTO22 PAC,軟件平臺則使用OPTO22 PAC Project。通過PAC控制器硬件、OPTO22的OPC服務器和simulink提供的模擬過程對象,搭建了一個在線實時仿真系統(tǒng),實現(xiàn)了人機界面、控制器、simulink之間的數(shù)據(jù)交互,為控制算法的調(diào)試提供了經(jīng)濟快速的方案。在線實時仿真的結果表明,雙重預測PI控制系統(tǒng)能較好的協(xié)調(diào)拉晶速度和液面溫度,能快速平穩(wěn)的應對擾動,驗證了雙重預測PI控制系統(tǒng)的實用性。
【關鍵詞】:單晶硅生長爐 直徑 雙重控制 雙重預測PI控制 OPTO22
【學位授予單位】:東華大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN304.12;TP273
【目錄】:
- 摘要5-7
- ABSTRUCT7-11
- 第一章 緒論11-17
- 1.1 研究的背景及意義11-16
- 1.2 研究的主要內(nèi)容16
- 1.3 本文的結構和安排16-17
- 第二章 雙重控制17-22
- 2.1 引言17
- 2.2 雙重控制的基本結構17-18
- 2.3 雙重控制系統(tǒng)的性能分析18-19
- 2.4 雙重控制系統(tǒng)在工程中的應用19-21
- 2.4.1 原油出口溫度的雙重控制20
- 2.4.2 煙葉復烤過程的雙重控制20-21
- 2.4.3 雙重控制系統(tǒng)使用時應注意的問題21
- 2.5 本章小結21-22
- 第三章 雙重預測PI控制系統(tǒng)22-34
- 3.1 引言22
- 3.2 PID控制原理22-24
- 3.3 Smith預估器原理24-26
- 3.4 預測PI控制算法26-30
- 3.5 雙重預測PI控制算法30-31
- 3.6 副控制為純積分環(huán)節(jié)的雙重控制31-33
- 3.7 本章小結33-34
- 第四章 單晶硅直徑控制系統(tǒng)的設計34-57
- 4.1 引言34
- 4.2 直拉式單晶硅的生產(chǎn)過程34-35
- 4.3 液面溫度的Kalman濾波35-36
- 4.4 基于單晶硅生長過程的雙重控制策略36-39
- 4.5 控制系統(tǒng)的simulink仿真39-56
- 4.5.1 基于單閉環(huán)控制的仿真40-41
- 4.5.2 基于雙重控制策略的仿真41-56
- 4.6 本章小結56-57
- 第五章 基于OPTO22 PAC的單晶硅直徑控制系統(tǒng)57-69
- 5.1 引言57
- 5.2 開發(fā)平臺的選擇57-59
- 5.3 軟件開發(fā)與設計59-62
- 5.4 OPTO22和simulink的數(shù)據(jù)交互62-68
- 5.5 本章小結68-69
- 第六章 總結和展望69-71
- 6.1 全文總結69-70
- 6.2 工作展望70-71
- 參考文獻71-74
- 攻讀碩士期間參加的項目和發(fā)表的論文74-75
- 致謝75
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 王金濤;劉子勇;;基于靜力懸浮原理的單晶硅球間微量密度差異精密測量方法研究[J];物理學報;2013年03期
2 徐飛飛;張效棟;房豐洲;;金剛石刀具單點切削單晶硅加工表面特性[J];納米技術與精密工程;2013年06期
3 蔡傳榮,張瓊;單晶硅硬度壓痕裂紋的特征[J];電子顯微學報;1996年06期
4 李東升,楊德仁,闕端麟;單晶硅材料機械性能研究及進展[J];材料科學與工程;2000年03期
5 程祥;高斌;楊先海;劉軍營;田忠強;;微細塑性銑削單晶硅實驗研究[J];山東理工大學學報(自然科學版);2012年04期
6 牟軍;具有500倍過壓保護能力的單晶硅壓力傳感器[J];測控技術;1991年01期
7 李愿杰;李智偉;;單晶硅中替位碳含量的常/低溫紅外光譜對比研究[J];東方電氣評論;2013年04期
8 胡興雷;孫雅洲;梁迎春;陳家軒;;單晶硅微納構件加工表面性能的時變性研究[J];物理學報;2013年22期
9 徐清蘭,伍凡,吳時彬,王家金,雷柏平,蘭秀清,張晶;單晶硅鏡面超光滑表面工藝技術研究[J];光電工程;2003年05期
10 David Lammers;;異質(zhì)CMOS的研發(fā)正在進行[J];集成電路應用;2008年04期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前7條
1 蔣娜;袁小武;張才勇;;單晶硅生長技術研究進展[A];第二十八屆全國化學與物理電源學術年會論文集[C];2009年
2 孫蓉;于淑會;杜如虛;薛群基;;單晶硅材料摩擦摩擦磨損行為研究[A];第八屆全國摩擦學大會論文集[C];2007年
3 何慶;索智群;喬東海;;單晶硅電容式低頻傳聲器的設計和制作[A];2009’中國西部地區(qū)聲學學術交流會論文集[C];2009年
4 陳官璧;汪蕾;楊德仁;;熱處理對p型單晶硅非晶SiC:H鈍化效果的影響[A];第十屆中國太陽能光伏會議論文集:迎接光伏發(fā)電新時代[C];2008年
5 尹韶輝;徐志強;;小口徑單晶硅非球面復合超精密加工工藝[A];中國光學學會2011年學術大會摘要集[C];2011年
6 肖清華;王敬;屠海令;;質(zhì)子注入單晶硅中的結構演化[A];中國有色金屬學會第五屆學術年會論文集[C];2003年
7 余學功;楊德仁;;鑄造準單晶硅的生長及其太陽電池的性能研究[A];中國晶體學會第五屆全國會員代表大會暨學術大會(晶體生長分會場)論文摘要集[C];2012年
中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 張劍英邋劉仲平;1500噸單晶硅項目在榆林開建[N];陜西日報;2007年
2 記者 張曉博;銀川隆基啟動500兆瓦單晶硅棒項目[N];銀川晚報;2012年
3 吳宜平 鄒平飛 特約記者 張家峰;廬山區(qū):區(qū)熔單晶硅項目進展順利[N];九江日報;2009年
4 段同剛;打造最具競爭力光伏產(chǎn)品[N];中國電子報;2011年
5 段同剛 撰稿;晶龍模式:讓創(chuàng)新“跑贏”市場[N];河北日報;2011年
6 韓粉琴 劉世領;國際投資機構 “繡球”拋向高郵民企[N];新華日報;2007年
7 通訊員 張世平;益陽晶鑫科技生產(chǎn)出第一根“晶棒”[N];益陽日報;2007年
8 本報記者 丁鑫;過分依賴海外市場及產(chǎn)能過剩 掣肘光伏產(chǎn)業(yè)成長腳步[N];證券日報;2011年
9 黃女瑛 DigiTimes;太陽能產(chǎn)業(yè)生輝 茂迪、益通逐日[N];電子資訊時報;2006年
10 楊紅雷;晶龍集團打造高科技民營企業(yè)[N];河北經(jīng)濟日報;2009年
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前6條
1 余家欣;單晶硅的切向納動研究[D];西南交通大學;2011年
2 陳貴鋒;高能粒子輻照單晶硅輻照效應的研究[D];河北工業(yè)大學;2009年
3 陳磊;單晶硅納米磨損的濕度/速度效應及防護研究[D];西南交通大學;2013年
4 劉春陽;納秒脈沖激光誘導單晶硅材料熒光效應的研究[D];天津大學;2012年
5 王曉東;不同濕度和水下單晶硅的納米磨損研究[D];西南交通大學;2014年
6 曹建偉;直拉式單晶硅生長爐的關鍵技術研究[D];浙江大學;2010年
,本文編號:939737
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/zidonghuakongzhilunwen/939737.html