NASICON型固體電解質(Al_0.2Zr_0.8)_4/3.8Nb(PO₄)₃在電化學傳感器上有著重要的研究。目前,改善固體電解質燒結性能并提高其電導率最常用的方法是添加燒結助劑或離子摻雜。高溫固相法制備Hf摻雜的固體電解質(Al_0.2Zr_0.8)_4+x/3.8Nb_1-xHf_x(PO₄)₃(x=0～0.2)。樣品中(Al_0.2Zr_0.8)_4.1/3.8Nb_0.9Hf_0.1(PO₄)₃(x=0.1)的電導率最高,在500°C時的電導率為2.77×10-4 S·cm^-1,約為不摻雜的1.26倍。離子遷移數均在0.99以上,表示電解質中是Al³⁺

【文章頁數】：70 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
引言
第1章 文獻綜述
    1.1 固體電解質
    1.2 NASICON型固體電解質
    1.3 NASICON型 Al³⁺固體電解質的應用研究
        1.3.1 Al³⁺固體電解質的應用研究
        1.3.2 Al³⁺固體電解質的鋁傳感器應用研究
        1.3.3 Al³⁺固體電解質的氣體傳感器應用研究
    1.4 NASICON型Al³⁺固體電解質的改性研究
第2章 實驗內容與方案
    2.1 研究內容
    2.2 研究目標與創(chuàng)新點
    2.3 實驗藥品及儀器
        2.3.1 實驗藥品
        2.3.2 實驗儀器
    2.4 材料制備
    2.5 性能表征
        2.5.1 X射線衍射(XRD)分析
        2.5.2 掃描電子顯微鏡(SEM)分析
        2.5.3 電化學交流阻抗(EIS)分析
        2.5.4 X射線能譜(EDS)分析
        2.5.5 X射線光電子能譜(XPS)分析
        2.5.6 體密度測試
        2.5.7 離子遷移數測試
    2.6 傳感器的制備及測試
        2.6.1 NH₃氣體傳感器的制備及測試
        2.6.2 Al傳感器的制備及測試
第3章 (Al_0.2Zr_0.8)_4+x/3.8Nb_1-xHf_x(PO₄)₃的制備及性能研究
    3.1 實驗部分
    3.2 結果與討論
        3.2.1 X射線衍射(XRD)分析
        3.2.2 微觀結構分析
        3.2.3 X射線光電子能譜(XPS)分析
        3.2.4 電化學交流阻抗(EIS)分析
        3.2.5 離子遷移數分析
    3.3 小結
第4章 (Al_0.2Zr_0.8)_4/3.8Nb_1-xSb_x(PO₄)₃的制備及性能研究
    4.1 實驗部分
    4.2 結果與討論
        4.2.1 X射線衍射(XRD)分析
        4.2.2 微觀結構分析
        4.2.3 X射線光電子能譜(XPS)分析
        4.2.4 電化學交流阻抗(EIS)分析
        4.2.5 離子遷移數分析
    4.3 小結
第5章 LiF對(Al_0.2Zr_0.8)_4/3.8Nb(PO₄)₃的性能影響研究
    5.1 實驗部分
        5.1.1 制備添加LiF的固體電解質(Al_0.2Zr_0.8)_4/3.8Nb(PO₄)3

        5.1.2 NH₃氣體傳感器的制備
        5.1.3 Al傳感器的制備
    5.2 結果與討論
        5.2.1 X射線衍射(XRD)分析
        5.2.2 微觀結構分析
        5.2.3 X射線光電子能譜(XPS)分析
        5.2.4 電化學交流阻抗(EIS)分析
        5.2.5 離子遷移數分析
        5.2.6 NH₃氣體傳感器測試
        5.2.7 Al傳感器測試
    5.3 小結
結論
參考文獻
致謝
導師簡介
作者簡介
學位論文數據集



本文編號：3800936

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