高比表面積有序大介孔鎢、鉬基氧化物的合成及其在礦井危害氣體檢測(cè)中的應(yīng)用
【圖文】:
導(dǎo)體的空穴積累層變寬。此時(shí),N型半導(dǎo)體材料的電阻增大,P型半導(dǎo)體材料的電阻減小。敏感逡逑元件與待測(cè)氣體接觸平衡后的電阻即為敏感元件在待測(cè)氣體中的穩(wěn)定電阻,此時(shí)的電阻值記為逡逑。圖1-3為N型半導(dǎo)體晶體能帶圖。逡逑“E邐個(gè)£逡逑V逡逑^邋V邋^邋c邋e邋e邋r邋e邋(*逡逑——邐邐邐Ec邋^邐邐 ̄一邋[c逡逑……」邐1邐…一卜……逡逑EF邐r邐^逡逑邐^V"邐Ev逡逑0邐-v邐]0邐x逡逑(a)吸附氧氣前邐(b)吸附氧氣后逡逑圖1-3邋N型半導(dǎo)體晶體能帶示意圖逡逑Fig.邋1-3邋Diagram邋of邋N-t};pe邋semiconductor邋Energ\:邋band逡逑-8邋-逡逑
寧夏大學(xué)碩士學(xué)位論文邐第二章實(shí)驗(yàn)部f逡逑體產(chǎn)生衍射的必要不充分條件,是晶體衍射的理論基礎(chǔ)。圖2-1為X射線衍射示意圖,根據(jù)布拉逡逑格公式:逡逑2dsin6邋=逡逑式中.?邋d為晶面間距,0為布拉格角(最大晶面衍射角),n為衍射級(jí)數(shù),X為入射X射線波逡逑長(zhǎng)。逡逑A邐C逡逑A'x邋X邐^邐/C,,逡逑X邋\b邋'邋X逡逑-逡逑a逡逑Atwiiic-scale邋crystal邋lattice邋planes逡逑圖2-】X射線衍射示意圖逡逑Fig.邋2-1邋X-Ray邋diffraction邋diagram逡逑(2)謝樂(lè)公式(測(cè)晶粒尺寸的理論基礎(chǔ)):X射線衍射譜帶的展寬取決于晶粒尺寸:晶粒尺逡逑寸越小,其衍射線越彌散和寬化。謝樂(lè)(Scherrer)公式可以描述晶粒尺寸與衍射峰半峰寬之間的逡逑關(guān)系。根據(jù)謝樂(lè)公式:逡逑kX逡逑d邋=邐逡逑Pcos8逡逑式中:d為晶粒尺寸,k為Scherrer常數(shù),X為輻射的波長(zhǎng),p為衍射峰的加寬,0為半衍射逡逑角。逡逑2.3.2透射電子顯微鏡(TEM)逡逑透射電子顯微鏡(Transmission邋electron邋microscope,簡(jiǎn)稱TEM)主要用于觀察尺寸小于0.2逡逑微米的超微結(jié)構(gòu)。本文所用的透射電子顯微鏡地型號(hào)為為日本日立公司的HT-7700,加速電壓為逡逑100kV,電流為邋10A邋=逡逑透射電子顯微鏡是將加速和聚集后的電子束投射到載有待測(cè)樣品的銅網(wǎng)上
【學(xué)位授予單位】:寧夏大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TP212;TD79;TB383.4
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本文編號(hào):2600974
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