本文選題：直拉硅單晶 + 過程建模　； 參考：《控制理論與應(yīng)用》2017年01期

【摘要】：硅單晶是最重要的半導(dǎo)體材料,90%的半導(dǎo)體器件和集成電路芯片都制作在硅單晶上.隨著集成電路技術(shù)的快速發(fā)展,對硅單晶的品質(zhì)要求也不斷提高.直拉法是生產(chǎn)硅單晶的主要方法,其科學(xué)原理與方法、生長技術(shù)與工藝、控制策略與手段一直是理論界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注和不斷研究的熱點.本文針對直拉法電子級硅單晶生長過程,以晶體生長基本原理為基礎(chǔ),從生長建模、變量檢測、控制方法等方面進(jìn)行了全面的闡述,特別針對當(dāng)今大尺寸、高品質(zhì)硅單晶生長的要求,總結(jié)了目前所取得的主要研究成果與面臨的問題,并提出了相應(yīng)的研究思路和方法.
[Abstract]:Silicon single crystal is the most important semiconductor material, 90% of semiconductor devices and integrated circuit chips are made on silicon single crystal. With the rapid development of integrated circuit technology, the quality requirement of silicon single crystal has been improved. Czochralski (Czochralski) method is the main method to produce silicon single crystal. Its scientific principle and method, growth technology and technology, control strategy and means have always been the focus of attention and research in the field of theory and industry. In this paper, the growth process of electronic silicon single crystal by Czochralski method, based on the basic principle of crystal growth, is described in detail from the aspects of growth modeling, variable detection and control methods, especially for the large size of silicon crystal. The requirements of high quality silicon crystal growth are summarized, the main research achievements and problems are summarized, and the corresponding research ideas and methods are put forward.
【作者單位】： 西安理工大學(xué)晶體生長設(shè)備及系統(tǒng)集成國家地方聯(lián)合工程研究中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點項目(61533014) 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(“973”計劃)(2014CB360508) 陜西省科技統(tǒng)籌創(chuàng)新工程計劃(2016KTZDGY 03 03)資助~~
【分類號】：TN304.12;TP273

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5 葛海熊;;φ76.2mm重?fù)缴楣鑶尉У难兄芠J];上海金屬.有色分冊;1987年06期

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9 楊德仁，姚鴻年，闕端磷;微氮直拉硅單晶中的原生氧沉淀[J];浙江大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);1994年02期

10 ;硅單晶直徑進(jìn)一步增大愈來愈困難[J];半導(dǎo)體雜志;1995年03期

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6 關(guān)守平;韓鋼;石群;尤富強;;硅單晶錠加工測量方法及儀器開發(fā)[A];2008中國儀器儀表與測控技術(shù)進(jìn)展大會論文集（Ⅰ）[C];2008年

7 楊德仁;;12英寸摻氮硅單晶的研制[A];集成電路配套材料研討會及參展資料匯編[C];2004年

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9 任丙彥;羊建坤;李彥林;;硅單晶生長中結(jié)晶潛熱釋放速率與熔體結(jié)構(gòu)的關(guān)系[A];第14屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集[C];2006年

10 黃千駟;劉洪飛;閻萍;;區(qū)熔摻鎵硅單晶的制備[A];第三屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集[C];1998年

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7 記者馮紹健;我國第一根18英寸直拉硅單晶問世[N];中國有色金屬報;2002年

8 梁紅兵;我研制成功18英寸直拉硅單晶[N];中國電子報;2002年

9 ;萬向硅峰：硅單晶制備技術(shù)升級[N];中國電子報;2011年

10 梁紅兵 王文韜;國內(nèi)最大區(qū)熔與重?fù)缴楣鑶尉Щ卦诰┙ㄔO(shè)[N];中國電子報;2001年

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5 余學(xué)功;大規(guī)模集成電路用直拉硅單晶的缺陷工程[D];浙江大學(xué);2004年

6 徐進(jìn);直拉硅單晶中氧沉淀及其誘生缺陷的透射電鏡研究[D];浙江大學(xué);2003年

7 崔燦;直拉硅單晶的氧沉淀及內(nèi)吸雜的研究[D];浙江大學(xué);2006年

8 陳加和;大規(guī)模集成電路用同族元素?fù)诫s直拉硅單晶的微缺陷及其缺陷工程[D];浙江大學(xué);2008年

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1 徐吳兵;摻鍺直拉硅單晶中缺陷的研究[D];浙江大學(xué);2011年

2 王鎮(zhèn)輝;重?fù)搅字崩鑶尉е腥毕莸难芯縖D];浙江大學(xué);2012年

3 康森;天通公司快速硅單晶生長工藝控制系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)[D];電子科技大學(xué);2014年

4 胡詩一;硅單晶熱膨脹性質(zhì)的分子動力學(xué)與晶格動力學(xué)模擬[D];湖南師范大學(xué);2015年

5 王彥君;大直徑區(qū)熔硅單晶的研究與制備[D];河北工業(yè)大學(xué);2015年

6 王淦;微氮直拉硅單晶的機械性能研究[D];浙江大學(xué);2002年

7 趙一英;氮和鍺對直拉硅單晶機械性能的影響[D];浙江大學(xué);2004年

8 李紅;摻鍺直拉硅單晶中微缺陷的研究[D];浙江大學(xué);2004年

9 馮琰;直拉硅單晶中氧沉淀的熟化[D];浙江大學(xué);2008年

10 奚光平;普通和摻氮的重?fù)缴橹崩鑶尉У难醭恋硇袨閇D];浙江大學(xué);2008年

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本文編號：1833308