本文關(guān)鍵詞：溫度對(duì)4管像素結(jié)構(gòu)CMOS圖像傳感器性能參數(shù)的影響

  更多相關(guān)文章： CMOS圖像傳感器 轉(zhuǎn)換增益 滿阱容量 暗電流 溫度

【摘要】：為了對(duì)4管像素結(jié)構(gòu)CMOS圖像傳感器的空間應(yīng)用提供可靠性指導(dǎo),對(duì)4管像素結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器進(jìn)行了-40~80℃的變溫實(shí)驗(yàn),著重分析了樣品器件的轉(zhuǎn)換增益、滿阱容量、飽和輸出和暗電流等參數(shù)隨溫度的變化規(guī)律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,隨著溫度的升高,樣品器件的轉(zhuǎn)換增益從0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,飽和輸出從4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗電流從22.9 e·pixel-1·s-1增長(zhǎng)到649 e·pixel-1·s-1。其中器件轉(zhuǎn)換增益的減小應(yīng)主要?dú)w因于載流子遷移率隨溫度升高而下降使得像素后端讀出電路增益降低;飽和輸出的降低則是因?yàn)檗D(zhuǎn)換增益的降低,因?yàn)檗D(zhuǎn)換增益隨溫度變化對(duì)飽和輸出的影響要大于滿阱容量隨溫度變化對(duì)飽和輸出的影響。
【作者單位】： 中國科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： CMOS圖像傳感器 轉(zhuǎn)換增益 滿阱容量 暗電流 溫度
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11005152)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TP212
【正文快照】： 1引言相比于電荷耦合元件(Charge-coupled de-vice,CCD)圖像傳感器,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary metal oxide semiconductor,CMOS)圖像傳感器有著低功耗、充足的設(shè)計(jì)資源和制造工藝成本低等優(yōu)勢(shì)。而且近些年隨著半導(dǎo)體工藝和CMOS圖像傳感器技術(shù)的發(fā)展,尤其4管像素在采

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本文編號(hào)：1126047