本文關(guān)鍵詞：基于4晶體管像素結(jié)構(gòu)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器總劑量輻射效應(yīng)研究

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【摘要】：對基于4晶體管像素結(jié)構(gòu)互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器的電離總劑量效應(yīng)進行了研究,著重分析了器件的滿阱容量和暗電流隨總劑量退化的物理機理.實驗的總劑量為200 krad(Si),測試點分別為30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),劑量率為50 rad(Si)/s.實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)隨著輻照總劑量的增加,器件的滿阱容量下降并且暗電流顯著增加.其中輻照使得傳輸門溝道摻雜分布發(fā)生改變是滿阱容量下降的主要原因,而暗電流退化則主要來自于淺槽隔離界面缺陷產(chǎn)生電流和傳輸門-光電二極管交疊區(qū)產(chǎn)生電流.實驗還表明樣品器件的轉(zhuǎn)換增益在輻照前后未發(fā)生明顯變化,并且與3晶體管像素結(jié)構(gòu)不同,4晶體管像素結(jié)構(gòu)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器沒有顯著的總劑量輻照偏置效應(yīng).
【作者單位】： 中國科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點實驗室 新疆電子信息材料與器件重點實驗室 中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器 電離總劑量效應(yīng) 鉗位二極管 滿阱容量
【分類號】：TP212;TN32
【正文快照】： 1引言相比于電荷耦合元件(charge-coupled device,CCD)圖像傳感器,互補金屬氧化物半導(dǎo)體(com-plementary metal oxide semiconductor,CMOS)圖像傳感器有著低功耗、高集成度和價格低等優(yōu)勢[1],且近些年隨著半導(dǎo)體工藝和CMOS圖像傳感器技術(shù)的發(fā)展,尤其是4晶體管(transistor,T)像

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