本文關(guān)鍵詞：MEMS硅半球陀螺球面電極成形工藝

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【摘要】：由于球面電極是曲面結(jié)構(gòu),電極各處的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕深度不一致,在加工過程中常發(fā)生球面電極還未刻蝕到位而諧振器已被破壞的現(xiàn)象,故本文提出了新的球面電極成形工藝�；贗CP刻蝕固有的lag效應,采用刻蝕窗口寬度由60μm漸變至10μm的V形刻蝕掩模調(diào)制電極各處的刻蝕速度,在電極各處獲得了基本一致的歸一化刻蝕速度(2.3μm/min)。利用臺階結(jié)構(gòu)擬合球面電極的3D曲面結(jié)構(gòu),并保證通刻階段的硅厚度基本一致為150μm來消除球面電極加工時最薄處已經(jīng)刻穿阻擋層并破壞諧振器而最厚處還沒有刻蝕到位的現(xiàn)象。結(jié)合臺階狀的二氧化硅掩模對球面電極各點處的硅ICP刻蝕當量進行了調(diào)整,使其基本相等,通過一次ICP刻蝕即完成了對硅球面電極的加工。利用提出的方法成功制備出了具有功能性輸出的微機電系統(tǒng)(MEMS)半球陀螺的硅球面電極,其最大半徑可達500μm。
【作者單位】： 華東光電集成器件研究所;
【關(guān)鍵詞】： 微機電系統(tǒng) 半球陀螺 球面電極 電感耦合等離子體(ICP)刻蝕
【基金】：北方通用電子集團預研資金資助項目(No.BSJ1274)
【分類號】：TH706
【正文快照】： 1引言隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展,MEMS陀螺在汽車電子、消費電子類產(chǎn)品中獲得了大量的應用[1-3]。目前市場上的MEMS陀螺多采用梳齒結(jié)構(gòu)的振幅式陀螺,零漂穩(wěn)定性在0.1~100°/h量級,難以滿足航空航天等慣導系統(tǒng)對高精度MEMS陀螺儀的需求。MEMS半球陀螺是一種新型的相位檢測式微機電陀螺，

本文編號：821675