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用于多波長激光損傷測試儀的濾光片設(shè)計與制備

發(fā)布時間:2017-07-16 17:20

  本文關(guān)鍵詞:用于多波長激光損傷測試儀的濾光片設(shè)計與制備


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【摘要】:應(yīng)用于大功率、高能量激光系統(tǒng)中的薄膜元件是整個光學(xué)系統(tǒng)中重要而又易損的薄弱環(huán)節(jié),光學(xué)薄膜一旦遭到激光損傷,不但會使成像質(zhì)量降低,嚴(yán)重時還會導(dǎo)致整個光學(xué)系統(tǒng)無法工作。然而,目前薄膜的激光損傷閾值(laser-induced damage threshold,LIDT)仍缺乏有效的檢測手段和方法,對薄膜激光損傷評判及損傷閡值測試儀的研究顯得非常重要。本文基于以上背景,為了滿足多波長共光路激光損傷測試儀的要求,需要解決測試儀中濾光片的設(shè)計和制備問題。本文研究了單層膜的抗激光損傷能力和制備工藝,對膜料進(jìn)行了甄別選;對濾光片的膜系和電場強場進(jìn)行了優(yōu)化,采用電子束熱蒸發(fā)技術(shù)制備了濾光片;探究了后續(xù)處理工藝對濾光片激光損傷閾值的影響。研究過程獲得的主要結(jié)論如下:1.采用電子束熱蒸發(fā)技術(shù)制備了單層鈦酸鑭(LaTiO3)薄膜。研究結(jié)果表明:高折射率材料LaTiO3具有穩(wěn)定的光學(xué)性能與較高的激光損傷閾值;對LaTiO3薄膜的制備工藝進(jìn)行了優(yōu)化,當(dāng)沉積溫度175℃、工作真空度2.0×10-2Pa、蒸發(fā)束流120mA(電子能量8KeV)時,得到的LaTiO3薄膜的激光損傷閾值為16.9J/cm2 (1064nm,10ns),比常規(guī)公共藝下TiO2、Ta2O5和HfO2單層膜的激光損傷閾值分別高46.19%、18.18%、28.42%。2.采用電子束熱蒸發(fā)技術(shù)制備了單層氧化硅(SiO2)薄膜。研究結(jié)果表明:低折射率材料Si02具備較好的物理化學(xué)性能和較高的激光損傷閾值;在熱蒸發(fā)過程中,當(dāng)其他制備工藝相同時,充氧比不充氧情況下制備的Si02單層膜的激光損傷閾值高出15.38%;得到了優(yōu)化后的制備工藝:沉積溫度175℃、工作真空度1.5×10-2Pa、蒸發(fā)束流30mA(電子能量8KeV),此時Si02單層膜激光損傷閾值為24.1J/cm2 (1064nm,10ns)。3.采用TFCalc軟件設(shè)計了濾光片膜系,選用LaTiO3和Si02作為高低折射率材料,得到優(yōu)化后的膜系為G|(HL)10H0.5L|A。在光學(xué)鍍膜機上進(jìn)行了上述膜系的制備,并對其光譜特性和激光損傷閾值進(jìn)行了測試,測試結(jié)果表明,樣品單面鍍膜后的透射率T532nm=94.76%, T1064nm=0.81%,激光損傷閾值為11.7J/cm2。4.對制備好的多層膜進(jìn)行了激光輻照和電子束輻照處理,研究發(fā)現(xiàn):當(dāng)輻照激光能量為多層膜閾值的80%時,輻照后多層膜的激光損傷閾值提高效果最明顯,較原值提高22.2%。當(dāng)輻照能量為80%,采用不同輻照次數(shù)實驗時,發(fā)現(xiàn)輻照3次后多層膜激光損傷閾值提高最顯著,較原值提高12.6%;而采用電子束輻照樣片,多層膜的激光損傷閾值反而會下降。
【關(guān)鍵詞】:薄膜 LaTiO_3 SiO_2 后續(xù)處理 激光損傷閾值(LIDT)
【學(xué)位授予單位】:西安工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TH74
【目錄】:
  • 摘要3-5
  • Absbact5-9
  • 1 緒論9-16
  • 1.1 研究背景及意義9-10
  • 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀10-13
  • 1.2.1 短波通濾光片選材及設(shè)計10-11
  • 1.2.2 薄膜內(nèi)部因素對激光損傷閾值的影響11-12
  • 1.2.3 后續(xù)處理工藝對激光損傷閾值的影響12-13
  • 1.3 主要工作13-15
  • 1.3.1 主要研究內(nèi)容13-14
  • 1.3.2 研究流程14-15
  • 1.4 小結(jié)15-16
  • 2 光學(xué)薄膜的激光損傷機理16-27
  • 2.1 光學(xué)薄膜的激光損傷模型16-19
  • 2.1.1 本征吸收及熱損傷16-17
  • 2.1.2 缺陷吸收17-18
  • 2.1.3 熱應(yīng)力損傷18
  • 2.1.4 電子崩離化18-19
  • 2.1.5 多光子電離19
  • 2.2 影響薄膜激光損傷閾值的主要因素19-23
  • 2.2.1 激光因素19-21
  • 2.2.2 薄膜因素21-22
  • 2.2.3 薄膜的制備技術(shù)及工藝參數(shù)22-23
  • 2.3 提高薄膜激光損傷閾值的途徑23-25
  • 2.3.1 材料甄選和工藝優(yōu)化23
  • 2.3.2 駐波場和溫度場的設(shè)計23-24
  • 2.3.3 激光預(yù)處理24
  • 2.3.4 高溫退火技術(shù)24-25
  • 2.4 激光損傷測試25-26
  • 2.5 小結(jié)26-27
  • 3 單層膜的工藝研究27-41
  • 3.1 高折射率材料的選取及最優(yōu)工藝的確定27-35
  • 3.1.1 高折射率材料的選取27-29
  • 3.1.2 單層膜工藝的正交實驗優(yōu)化29-31
  • 3.1.3 沉積溫度對薄膜激光損傷閾值的影響31-33
  • 3.1.4 工藝穩(wěn)定性研究33-35
  • 3.2 低折射率材料的選取及最優(yōu)工藝的確定35-38
  • 3.2.1 低折射率材料的選取35-36
  • 3.2.2 低折射率材料單層膜的設(shè)計36-37
  • 3.2.3 低折射率材料的工藝優(yōu)化37-38
  • 3.3 薄膜的光學(xué)帶隙38-39
  • 3.4 小結(jié)39-41
  • 4 濾光片的設(shè)計與制備41-53
  • 4.1 濾光片的膜系設(shè)計41-48
  • 4.1.1 多層膜膜系初始設(shè)計41-44
  • 4.1.2 多層膜電場場強優(yōu)化設(shè)計44-48
  • 4.2 多層膜的制備48-51
  • 4.2.1 制備流程48-49
  • 4.2.2 制備結(jié)果49-51
  • 4.3 不同膜料制備濾光片的性能比對51-52
  • 4.3.1 Ta_2O_5/SiO_2多層膜的設(shè)計與制備51-52
  • 4.3.2 兩組多層膜的光譜特性和激光損傷特性分析52
  • 4.4 小結(jié)52-53
  • 5 后續(xù)工藝處理對多層膜激光損傷閾值的影響53-59
  • 5.1 激光輻照預(yù)處理53-56
  • 5.1.1 不同輻照能量的影響53-55
  • 5.1.2 不同輻照次數(shù)的影響55-56
  • 5.2 電子束輻照處理56-58
  • 5.3 小結(jié)58-59
  • 6 結(jié)論59-61
  • 6.1 結(jié)論59-60
  • 6.2 展望60-61
  • 參考文獻(xiàn)61-66
  • 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文66-67
  • 致謝67-69

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