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環(huán)形拋光中方形元件塌角控制方法的理論分析

發(fā)布時(shí)間:2024-04-13 04:37
  全口徑環(huán)形拋光中方形元件的材料去除率存在從中心到邊角位置越來越大的現(xiàn)象,致使拋光工件出現(xiàn)塌角的面形,影響了方形光學(xué)元件的面形質(zhì)量;赑reston方程,通過改變元件的多種運(yùn)動軌跡,計(jì)算了方形光學(xué)元件全口徑的材料去除率分布。通過分析發(fā)現(xiàn):使方形光學(xué)元件在保持原有自轉(zhuǎn)的同時(shí)沿拋光模徑向或與徑向有一定夾角的方向擺動,且附加在元件整個(gè)拋光面上的運(yùn)動速度保持一致時(shí),可使方形元件的材料去除率分布得更均勻。通過附加這種運(yùn)動方式可以有效控制方形元件的塌角現(xiàn)象。

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

圖1工件和拋光模的位置關(guān)系及運(yùn)動方式示意圖。(a)徑向運(yùn)動;(b)法向運(yùn)動;(c)斜向運(yùn)動

圖1工件和拋光模的位置關(guān)系及運(yùn)動方式示意圖。(a)徑向運(yùn)動;(b)法向運(yùn)動;(c)斜向運(yùn)動

在保持拋光模、工件原有自轉(zhuǎn)的基礎(chǔ)上,對工件附加一種運(yùn)動方式,附加的運(yùn)動方式包括:1)工件沿拋光模徑向的擺動,如圖1(a)所示;2)工件沿拋光模法向的擺動,如圖1(b)所示;3)工件沿與拋光模徑向呈一定夾角的方向作斜向擺動,如圖1(c)所示。在以下分析中定義兩個(gè)直角坐標(biāo)系,以拋光模....


圖2不同徑向擺動速率下的材料去除率分布。(a)0;(b)30mm/s;(c)40mm/s;(d)50mm/s

圖2不同徑向擺動速率下的材料去除率分布。(a)0;(b)30mm/s;(c)40mm/s;(d)50mm/s

對于工件在保持原有自轉(zhuǎn)的基礎(chǔ)上沿拋光模徑向擺動的情況,分別取徑向擺動速率為0,30,40,50mm/s,工件同時(shí)保持著自轉(zhuǎn),自轉(zhuǎn)速率為0.05rad/s,拋光模轉(zhuǎn)速的大小為0.04rad/s,拋光模內(nèi)徑為200mm,外徑為1400mm。將這些參數(shù)代入(1)~(10)式即....


圖3不同切向擺動速率下的材料去除率分布。(a)0;(b)40mm/s;(c)51mm/s;(d)65mm/s

圖3不同切向擺動速率下的材料去除率分布。(a)0;(b)40mm/s;(c)51mm/s;(d)65mm/s

當(dāng)工件在自轉(zhuǎn)的同時(shí)沿拋光模切向有擺動時(shí),其材料去除率的變化規(guī)律與徑向擺動有所不同。本文分別取切向擺動速率為0,40,51,65mm/s,偏心距為900mm。由(1)~(3)式、(7)~(13)式可求得材料去除率分布如圖3(a)~(d)所示,所對應(yīng)的非均勻材料去除率Nmrr分別....


圖4不同切向擺動速率下的非均勻材料去除率

圖4不同切向擺動速率下的非均勻材料去除率

為進(jìn)一步研究切向擺動存在臨界擺動速率的規(guī)律,本文分析了一系列切向擺動速率所對應(yīng)的非均勻材料去除率,分析結(jié)果如圖4所示。圖4橫坐標(biāo)表示切向擺動速率,縱坐標(biāo)為非均勻材料去除率,可見:非均勻材料去除率隨著切向擺動速率的增大而逐漸增大到一個(gè)最大值,之后隨著切向擺動速率的增大而逐漸減小。3....



本文編號:3952493

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