八電極線性離子阱(Octa-electrode linear ion trap, OeLIT)配合特定的射頻電壓施加方式,具有良好的質(zhì)量分析性能。本研究模擬了3種電極偏移方式對八電極線性離子阱性能的影響。通過優(yōu)化射頻電壓差(δ)修正離子阱內(nèi)部電場分布,在不對質(zhì)量分析器的結(jié)構(gòu)做任何調(diào)整的情況下實(shí)現(xiàn)性能自修復(fù)。模擬結(jié)果表明,僅通過優(yōu)化δ即可彌補(bǔ)電極偏移造成的性能損失,獲得的最優(yōu)質(zhì)量分辨率可達(dá)3622.7,與未發(fā)生電極偏移的八電極線性離子阱的分析結(jié)果相當(dāng)。

【文章頁數(shù)】：10 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 模擬實(shí)驗(yàn)部分
    2.1 八電極線形離子阱的3種電極偏移結(jié)構(gòu)與建模
    2.2 內(nèi)部電場計(jì)算
    2.3 質(zhì)譜峰模擬
3 結(jié)果與討論
    3.1 全角偏移對斜邊八電極線性離子阱的性能影響及性能自修復(fù)
    3.2 單角偏移對斜邊八電極線性離子阱的性能影響及性能自修復(fù)
    3.3 雙角偏移對斜邊八電極線性離子阱的性能影響及性能自修復(fù)
4 結(jié) 論



本文編號：3832618