多光譜成像技術(shù)是目標(biāo)探測(cè)領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù),目前正向著光譜通道更多、集成度更高、體積更小和質(zhì)量更輕的方向發(fā)展,所以多通道微結(jié)構(gòu)窄帶濾光片已成為研究的熱點(diǎn)。然而,微結(jié)構(gòu)濾光片的研制目前還受到通道光譜透射率較低以及微結(jié)構(gòu)單元的微型化程度和制備精度也不高的局限。因此,必須進(jìn)一步展開對(duì)微結(jié)構(gòu)濾光片的制備方法和制備工藝的探究。本文主要是對(duì)微結(jié)構(gòu)濾光片的設(shè)計(jì)以及基本工藝的研究,基于F-P濾光膜原理設(shè)計(jì)了可見光波段的3個(gè)不同中心波長(zhǎng)的窄帶濾光片;采用光化學(xué)掩模分離法制備了微結(jié)構(gòu)單元;利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)沉積得到了微結(jié)構(gòu)濾光片,同時(shí)研究了 PECVD制備的薄膜復(fù)形性問題。主要研究結(jié)論如下:（1）傳統(tǒng)的全介質(zhì)單半波型的F-P濾光膜中,間隔層為高折射率材料的膜系G/（HL）22mH（LH）2/A具有良好的峰值透過率和通帶半寬度,有最佳的設(shè)計(jì)結(jié)果。膜系層數(shù)少和膜層總厚度較薄,實(shí)際制備時(shí)較為容易;（2）利用PECVD技術(shù)制備得到了中心波長(zhǎng)分別為480nm、520nm和590nm的窄帶濾光膜,峰值透過率對(duì)應(yīng)分別為83.85%、83.49%和90.38%,通帶半寬度分別是33nm、50nm ... 

【文章來源】：西安工業(yè)大學(xué)陜西省

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 微結(jié)構(gòu)濾光片的研制現(xiàn)狀
    1.3 課題主要工作
        1.3.1 主要研究?jī)?nèi)容及重點(diǎn)
        1.3.2 課題研究方案
        1.3.3 論文章節(jié)安排
    1.4 小結(jié)
2 工藝技術(shù)及理論基礎(chǔ)
    2.1 F-P濾光片的制備基礎(chǔ)
        2.1.1 全介質(zhì)F-P濾光片
        2.1.2 PECVD技術(shù)
        2.1.3 主要測(cè)試分析設(shè)備
    2.2 微納加工技術(shù)
        2.2.1 常見微光學(xué)元件的制備方法
        2.2.2 光刻技術(shù)
        2.2.3 ICP刻蝕技術(shù)
    2.3 復(fù)形性
    2.4 小結(jié)
3 微結(jié)構(gòu)濾光片的設(shè)計(jì)
    3.1 掩模板設(shè)計(jì)
    3.2 光刻圖形化
        3.2.1 圖形化工藝流程
        3.2.2 圖形化工藝研究
    3.3 膜系設(shè)計(jì)及分析
        3.3.1 膜系設(shè)計(jì)
        3.3.2 允差分析
    3.4 小結(jié)
4 濾光片膜系的鍍制及測(cè)試
    4.1 單層膜穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)
        4.1.1 單層SiO_x薄膜穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)
        4.1.2 單層SiN_x薄膜穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)
    4.2 單層膜穩(wěn)定性對(duì)膜系的影響
    4.3 濾光片的鍍制
    4.4 樣片的測(cè)試和分析
    4.5 小結(jié)
5 微結(jié)構(gòu)濾光片的制備
    5.1 復(fù)形性探究
        5.1.1 初步探究
        5.1.2 復(fù)形性探究過程
        5.1.3 復(fù)形性探究的結(jié)果
    5.2 微結(jié)構(gòu)濾光片的制備過程
    5.3 結(jié)果及分析
    5.4 小結(jié)
6 結(jié)論及展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3638429