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醫(yī)用加速器偏轉(zhuǎn)線圈銅導(dǎo)線結(jié)垢過(guò)程研究

發(fā)布時(shí)間:2021-12-31 16:04
  目的:探究醫(yī)用加速器偏轉(zhuǎn)線圈銅導(dǎo)線結(jié)垢過(guò)程,分析偏轉(zhuǎn)線圈銅導(dǎo)線堵塞的原因。方法:選用T2黃銅在高純除鹽水中進(jìn)行腐蝕結(jié)垢試驗(yàn),通過(guò)伏安極化、恒電位還原和電子掃描電鏡分析T2黃銅垢層的產(chǎn)生過(guò)程、化學(xué)成分及微觀形貌,通過(guò)試驗(yàn)研究CO2在水中溶解對(duì)T2黃銅垢層剝落的影響。結(jié)果:T2黃銅在高純除鹽水中發(fā)生氧化還原反應(yīng),先生成紫紅色的、結(jié)構(gòu)致密的Cu2O內(nèi)垢層,后生成黑褐色的、結(jié)構(gòu)疏松的CuO外垢層?諝庵蠧O2在水中溶解會(huì)加速結(jié)構(gòu)疏松的CuO外垢層溶解剝落。結(jié)論:銅導(dǎo)線的氧化是形成銅垢的根本原因,冷卻水中CO2的侵蝕會(huì)加速銅垢的剝落,從而引發(fā)偏轉(zhuǎn)線圈堵塞、過(guò)熱。 

【文章來(lái)源】:醫(yī)療衛(wèi)生裝備. 2020,41(09)

【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)

【部分圖文】:

醫(yī)用加速器偏轉(zhuǎn)線圈銅導(dǎo)線結(jié)垢過(guò)程研究


T2黃銅試片在高純除鹽水中浸泡不同時(shí)間后的試驗(yàn)結(jié)果

曲線,黃銅,伏安,電極


圖2是T2黃銅電極在高純除鹽水中浸泡24 d后的伏安掃描曲線。電位負(fù)掃過(guò)程中,在-220和-550 m V處出現(xiàn)了2個(gè)還原峰C1和C2。其中,C1對(duì)應(yīng)于Cu2+還原為Cu+的電極反應(yīng),C2對(duì)應(yīng)于Cu+還原為Cu單質(zhì)的電極反應(yīng)。分別在-220和-550 m V電位下對(duì)T2黃銅電極進(jìn)行恒電位還原測(cè)試。圖3為浸泡24 d后T2黃銅電極的恒電位還原測(cè)試的電流-時(shí)間曲線。對(duì)電流-時(shí)間曲線進(jìn)行積分,可分別得到Cu2+還原為Cu+消耗的電荷量Q1和Cu+還原為Cu單質(zhì)消耗的電荷量Q2。Q1值可衡量銅垢中CuO的含量;Q2表示Cu2O與CuO的總含量,可表征銅垢的厚度,其中Cu2O的含量可用Q2-Q1衡量。在浸泡不同時(shí)間后的還原電荷積分結(jié)果詳見(jiàn)表1。依據(jù)表1結(jié)果繪制的垢層成分柱狀圖如圖4所示。在試驗(yàn)初期,T2黃銅表面主要發(fā)生化學(xué)式(1)~(4)的反應(yīng),生成Cu2O,即T2黃銅表面紫紅色的銅垢。隨著浸泡時(shí)間的延長(zhǎng),Cu2O逐步被氧化成CuO,銅垢中Cu2O含量不斷減少,CuO的含量不斷增加。到浸泡24 d后時(shí),(Q2-Q1)/Q1(即Cu2O/CuO)值僅為0.23,此時(shí)銅垢的主要成分為CuO。

時(shí)間曲線,黃銅,時(shí)間曲線,電位


分別在-220和-550 m V電位下對(duì)T2黃銅電極進(jìn)行恒電位還原測(cè)試。圖3為浸泡24 d后T2黃銅電極的恒電位還原測(cè)試的電流-時(shí)間曲線。對(duì)電流-時(shí)間曲線進(jìn)行積分,可分別得到Cu2+還原為Cu+消耗的電荷量Q1和Cu+還原為Cu單質(zhì)消耗的電荷量Q2。Q1值可衡量銅垢中CuO的含量;Q2表示Cu2O與CuO的總含量,可表征銅垢的厚度,其中Cu2O的含量可用Q2-Q1衡量。在浸泡不同時(shí)間后的還原電荷積分結(jié)果詳見(jiàn)表1。依據(jù)表1結(jié)果繪制的垢層成分柱狀圖如圖4所示。在試驗(yàn)初期,T2黃銅表面主要發(fā)生化學(xué)式(1)~(4)的反應(yīng),生成Cu2O,即T2黃銅表面紫紅色的銅垢。隨著浸泡時(shí)間的延長(zhǎng),Cu2O逐步被氧化成CuO,銅垢中Cu2O含量不斷減少,CuO的含量不斷增加。到浸泡24 d后時(shí),(Q2-Q1)/Q1(即Cu2O/CuO)值僅為0.23,此時(shí)銅垢的主要成分為CuO。圖5為T(mén)2黃銅試片在浸泡不同時(shí)間后表面的SEM圖像。浸泡2 d后的SEM圖像如圖5(a)所示,T2黃銅試片表面形成的Cu2O垢層結(jié)構(gòu)致密,但厚度較薄,仍可見(jiàn)金屬基底打磨留下的痕跡。同時(shí),在Cu2O垢層的表面有少量的球狀產(chǎn)物生成,這表明此時(shí)在薄而致密的Cu2O表面開(kāi)始生成CuO。浸泡24 d后的SEM圖像如圖5(b)所示,T2黃銅試片表面垢層變厚,已無(wú)法觀察到金屬基底打磨的槽痕,附著在T2黃銅表面的是CuO垢層,結(jié)構(gòu)疏松,晶體呈不規(guī)則的菱形。

【參考文獻(xiàn)】:
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本文編號(hào):3560555

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