一種應(yīng)用于經(jīng)顱磁刺激脈沖寬度可調(diào)的節(jié)能型激勵源
發(fā)布時間:2021-03-14 01:45
為了提高經(jīng)顱磁刺激系統(tǒng)中激勵源的節(jié)能率,該文在脈沖寬度可控經(jīng)顱磁刺激儀(cTMS1)的基礎(chǔ)上,提出一種節(jié)能型激勵源(EEES),并設(shè)計EEES電路拓撲結(jié)構(gòu)和開關(guān)控制方法。首先,通過控制開關(guān)的導(dǎo)通時間,實現(xiàn)脈沖電流寬度的調(diào)節(jié)。然后,設(shè)計電路拓撲結(jié)構(gòu),實現(xiàn)能量的回收再利用,提高系統(tǒng)的能量利用率。最后,開發(fā)EEES實驗平臺并對系統(tǒng)性能進行測試。實驗結(jié)果表明,EEES可以產(chǎn)生幅值高達1 058A的脈沖電流,可調(diào)脈沖寬度范圍為5~160μs。與cTMS1激勵源相比,EEES能量自損率明顯低于cTMS1,節(jié)能率高達62.60%~93.21%。因此,該文提出的EEES系統(tǒng)為TMS激勵源的發(fā)展提供了重要參考。
【文章來源】:電工技術(shù)學(xué)報. 2020,35(04)北大核心
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
cTMS1電路拓撲
EEES電路拓撲
cTMS1和EEES續(xù)流對比
【參考文獻】:
期刊論文
[1]經(jīng)顱磁聲電刺激參數(shù)對神經(jīng)元放電模式的影響分析[J]. 張帥,崔琨,史勛,王卓,徐桂芝. 電工技術(shù)學(xué)報. 2019(18)
[2]IGBT串聯(lián)動態(tài)均壓特性分析與控制[J]. 丁順,邢巖,王鈞,胡海兵. 電工技術(shù)學(xué)報. 2018(14)
[3]基于SiC MOSFET直流固態(tài)斷路器關(guān)斷初期電壓尖峰抑制方法[J]. 李輝,廖興林,肖洪偉,姚然,黃樟堅. 電工技術(shù)學(xué)報. 2018(05)
[4]多通道經(jīng)顱磁刺激線圈陣列的驅(qū)動與控制[J]. 李江濤,曹輝,鄭敏軍,趙政. 電工技術(shù)學(xué)報. 2017(22)
[5]經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的研究進展[J]. 李江濤,鄭敏軍,曹輝. 高電壓技術(shù). 2016(04)
[6]基于聚焦線圈和固態(tài)開關(guān)的脈沖磁場發(fā)生器[J]. 米彥,儲貽道,蔣春,姚陳果,李成祥. 儀器儀表學(xué)報. 2014(07)
[7]適用于臨床及動物試驗的高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激系統(tǒng)設(shè)計及其應(yīng)用[J]. 于陽,李玥,張廣浩,白金柱,吳昌哲,霍小林. 高電壓技術(shù). 2013(01)
本文編號:3081278
【文章來源】:電工技術(shù)學(xué)報. 2020,35(04)北大核心
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
cTMS1電路拓撲
EEES電路拓撲
cTMS1和EEES續(xù)流對比
【參考文獻】:
期刊論文
[1]經(jīng)顱磁聲電刺激參數(shù)對神經(jīng)元放電模式的影響分析[J]. 張帥,崔琨,史勛,王卓,徐桂芝. 電工技術(shù)學(xué)報. 2019(18)
[2]IGBT串聯(lián)動態(tài)均壓特性分析與控制[J]. 丁順,邢巖,王鈞,胡海兵. 電工技術(shù)學(xué)報. 2018(14)
[3]基于SiC MOSFET直流固態(tài)斷路器關(guān)斷初期電壓尖峰抑制方法[J]. 李輝,廖興林,肖洪偉,姚然,黃樟堅. 電工技術(shù)學(xué)報. 2018(05)
[4]多通道經(jīng)顱磁刺激線圈陣列的驅(qū)動與控制[J]. 李江濤,曹輝,鄭敏軍,趙政. 電工技術(shù)學(xué)報. 2017(22)
[5]經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的研究進展[J]. 李江濤,鄭敏軍,曹輝. 高電壓技術(shù). 2016(04)
[6]基于聚焦線圈和固態(tài)開關(guān)的脈沖磁場發(fā)生器[J]. 米彥,儲貽道,蔣春,姚陳果,李成祥. 儀器儀表學(xué)報. 2014(07)
[7]適用于臨床及動物試驗的高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激系統(tǒng)設(shè)計及其應(yīng)用[J]. 于陽,李玥,張廣浩,白金柱,吳昌哲,霍小林. 高電壓技術(shù). 2013(01)
本文編號:3081278
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