發(fā)布時間：2020-12-21 20:07

　　熔石英光學(xué)元件應(yīng)用廣泛,其加工方法以材料去除為主,包括磨削、研磨和拋光等。傳統(tǒng)的研磨拋光會在工件表面和亞表面產(chǎn)生機械破碎性缺陷和污染性缺陷,影響熔石英光學(xué)元件的應(yīng)用。因此,為了提升熔石英元件的光學(xué)性能,需要一種超光滑低缺陷加工方法進(jìn)一步降低或去除工件表面的機械破碎性缺陷和雜質(zhì)污染性缺陷。本文將彈性域無損加工理論和磨料水射流拋光方式相結(jié)合,研究了紫外熔石英元件彈性域低缺陷射流拋光的關(guān)鍵技術(shù)。彈性域射流拋光通過界面化學(xué)吸附反應(yīng)在熔石英元件彈性域范圍內(nèi)去除材料,不會產(chǎn)生表面和亞表面損傷,可以實現(xiàn)低缺陷超光滑表面加工。本文主要研究內(nèi)容包括以下三個方面:（1）熔石英元件彈性域射流拋光機理研究。首先,通過分子模擬仿真軟件對彈性域射流拋光中的化學(xué)去除過程進(jìn)行了建模仿真,根據(jù)體系能量驗證了彈性域射流拋光去除原子級材料的可行性。然后,建立了單個原子去除最小機械能與拋光顆粒粒徑和射流速度的關(guān)系式,將微觀的原子級材料去除和宏觀的工藝參數(shù)建立聯(lián)系,為實際加工提供理論指導(dǎo)。最后,基于能量守恒理論推導(dǎo)出大粒徑拋光顆粒與工件表面的碰撞模型,分析了不同粒徑的拋光顆粒對元件表面的作用力,完善了彈性域射流拋光中拋光顆粒與... 

【文章來源】：國防科技大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

元件表面原子化學(xué)去除過程

圖 1.2 單晶硅表面模型科技大學(xué)石峰[11]等人對磁流變拋光實現(xiàn)彈性域去除材料的控制究，提出了拋光顆粒與光學(xué)元件表面接觸的雙刃圓模型，如圖拋光顆粒的壓入深度實現(xiàn)彈性接觸，將光學(xué)元件表面粗糙度 Rq工的 0.759nm 提升至彈性加工后的 0.269nm。

圖1.3雙刃圓模型

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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[3]高功率激光誘導(dǎo)光學(xué)元件損傷場效應(yīng)及閾值測試研究[D]. 張問輝.四川大學(xué) 2005



本文編號：2930423