一種基于多孔硅折疊微腔器件免光譜儀的折射率檢測新方法
【學位授予單位】:新疆大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TH744.1
【圖文】:
圖 1-1 PSi 1970-2018 國際研究歷程 20 世紀 50 年代,Uhlir 等人在貝爾實驗室發(fā)現(xiàn)了多孔硅(PSi),試期間在硅片上出現(xiàn)紅棕色時[24]。最初歸因于低氧化物種,PSi 幾何科學研究人員的關(guān)注,直到 Canham 和同事的兩個關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)[9]
2-D 和 3-D PHC 的周期性結(jié)構(gòu)圖在過去的十年中,材料領(lǐng)域出現(xiàn)了前沿熱點,主要研究方向是控制材料的光學特性。存在一類材料,光線禁止在材料內(nèi)部傳播,或者僅允許某些頻率的某些方向傳播,或者位于特定區(qū)域。這種系統(tǒng)由幾何形狀產(chǎn)生了光子帶隙。在這些結(jié)
圖 2-1 光通過 N 層疊層交替折射率傳播的示意圖對于橫向電(TE)偏振的情況,通過非磁性層 n 1 和 n,(n|n 1)之間面的光的傳播被描述為Εn,t+n,t= Tn|n 1Εn 1,b+n 1,b=1 00ηn 1cosθn 1ncosθnΕn 1,b+n 1,b(
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本文編號:2751713
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