本文關鍵詞：MEMS濕法腐蝕工藝的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

MEMS濕法腐蝕工藝的研究 摘要 等 中表現(xiàn)出各陽異性腐蝕特性，因此在微電子、微光學、微機械系統(tǒng)領域，體硅微機械技 術得到廣泛應用。隨著應用的深入，器件性能的提高，要求單晶硅腐蝕表面光滑平整、無 態(tài)，關于這些粗糙狀態(tài)的成因有許多解釋，其中反應產物――氫氣和硅酸鹽――嚴重影響 了硅腐蝕面的粗糙度。 為了盡量消除單晶硅腐蝕表面的粗糙狀態(tài)，人們提出了各種辦法，例如：在腐蝕液中 加入氧化物 氰鐵酸鹽或氧氣 或正向偏壓電化學腐蝕，加入乙醇或異丙醇，進行超聲振蕩等。 通過加入表面活性劑以改善單晶硅各向異性腐蝕特性的報道還不多。 本文總結了硅在堿性腐蝕液中各項異性腐蝕的機理模型，并對模型的發(fā)展提出了建設 性的意見。 通過分析溶液的微觀結構和溶液中粒子數(shù)密度的漲落，指出當溶液由于成分變化或外 界條件變化后，溶液的結構也隨之發(fā)生變化，相應地溶液性質也會發(fā)生變化，影響了腐蝕 結果。著重介紹了表面活性劑的各種性質，以及溶液中加入活性劑后溶液性性質的改變。 通過大量的實驗，測定了復合型非離子活性劑改變腐蝕液表面張力的狀況；研究了溶 的腐蝕面粗糙狀態(tài)隨著活性劑濃度的變化而變化的情況，，得到結論：當腐蝕液中加入的活 性劑濃度大于它的cmc時，硅腐蝕面的粗糙狀況隨著活性劑的濃度的增大而減��；對于腐 蝕過程中產生的大量的氣泡，可以加入雙氧水的到很好的解決，最后分析了雙氧水消除氫 氣氣泡的原因和雙氧水參加硅腐蝕化學過程所起的作用。 河北工業(yè)大學顧 學位論文 ASTUDYoNSILICONWETETCHINGFoR MEMS ABSTRACT Becauseofits insome anisotropicetching high-pH founda siliconhas wide TMAH ，singlecrystal applicationrangeinclud

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