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基于Mueller矩陣橢偏儀的納米壓印模板與光刻膠光柵結構準確測量

發(fā)布時間:2017-12-30 10:19

  本文關鍵詞:基于Mueller矩陣橢偏儀的納米壓印模板與光刻膠光柵結構準確測量 出處:《物理學報》2014年18期  論文類型:期刊論文


  更多相關文章: 納米壓印 納米測量 Mueller矩陣橢偏儀 測量準確度


【摘要】:在納米壓印工藝中,對模板和壓印結構的幾何參數進行快速、低成本、非破壞性地準確測量具有非常重要的意義.與傳統(tǒng)光譜橢偏儀只能改變波長和入射角2個測量條件并且在每一組測量條件下只能獲得振幅比和相位差2個測量參數相比,Mueller矩陣橢偏儀可以改變波長、入射角和方位角3個測量條件,而且在每一組測量條件下都可以獲得一個4×4階Mueller矩陣共16個參數,因此可以獲得更為豐富的測量信息.通過選擇合適的測量條件配置,充分利用Mueller矩陣中的測量信息,有望實現更為準確的納米結構測量.基于此,本文利用自主研制的Mueller矩陣橢偏儀對硅基光柵模板和納米壓印光刻膠光柵結構進行了測量.實驗結果表明,通過對Mueller矩陣橢偏儀進行測量條件優(yōu)化配置,并且在光學特性建模時考慮測量過程中出現的退偏效應,可以實現壓印工藝中納米結構線寬、線高、側壁角以及殘膠厚度等幾何參數更為準確的測量,同時對于納米壓印光刻膠光柵結構還可以直接得到光斑照射區(qū)域內殘膠厚度的不均勻性參數.
[Abstract]:......
【作者單位】: 華中科技大學 數字制造裝備與技術國家重點實驗室;華中科技大學材料科學與工程學院;華中科技大學光學與電子信息學院;
【基金】:國家自然科學基金(批準號:91023032,51005091) 國家重大科學儀器設備開發(fā)專項(批準號:2011YQ160002) 教育部長江學者和創(chuàng)新團隊發(fā)展計劃資助的課題~~
【分類號】:TH74
【正文快照】: 級尺度的測量,但其顯著缺點是速度慢、成本高、設1 31 備操作復雜、難以集成到制造工藝線上實現在線測^ 量.與之相反,光學測量方法如光學散射測量技術納米壓印是一種利用模板將圖形轉移到襯底 (optical scatter ometry),具有速度快、成本低、無接上的批量化納米制造工藝[1,2】

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號:1354486

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