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基于Mueller矩陣橢偏儀的納米壓印模板與光刻膠光柵結(jié)構(gòu)準(zhǔn)確測(cè)量

發(fā)布時(shí)間:2017-12-30 10:19

  本文關(guān)鍵詞:基于Mueller矩陣橢偏儀的納米壓印模板與光刻膠光柵結(jié)構(gòu)準(zhǔn)確測(cè)量 出處:《物理學(xué)報(bào)》2014年18期  論文類型:期刊論文


  更多相關(guān)文章: 納米壓印 納米測(cè)量 Mueller矩陣橢偏儀 測(cè)量準(zhǔn)確度


【摘要】:在納米壓印工藝中,對(duì)模板和壓印結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)進(jìn)行快速、低成本、非破壞性地準(zhǔn)確測(cè)量具有非常重要的意義.與傳統(tǒng)光譜橢偏儀只能改變波長(zhǎng)和入射角2個(gè)測(cè)量條件并且在每一組測(cè)量條件下只能獲得振幅比和相位差2個(gè)測(cè)量參數(shù)相比,Mueller矩陣橢偏儀可以改變波長(zhǎng)、入射角和方位角3個(gè)測(cè)量條件,而且在每一組測(cè)量條件下都可以獲得一個(gè)4×4階Mueller矩陣共16個(gè)參數(shù),因此可以獲得更為豐富的測(cè)量信息.通過選擇合適的測(cè)量條件配置,充分利用Mueller矩陣中的測(cè)量信息,有望實(shí)現(xiàn)更為準(zhǔn)確的納米結(jié)構(gòu)測(cè)量.基于此,本文利用自主研制的Mueller矩陣橢偏儀對(duì)硅基光柵模板和納米壓印光刻膠光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測(cè)量.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,通過對(duì)Mueller矩陣橢偏儀進(jìn)行測(cè)量條件優(yōu)化配置,并且在光學(xué)特性建模時(shí)考慮測(cè)量過程中出現(xiàn)的退偏效應(yīng),可以實(shí)現(xiàn)壓印工藝中納米結(jié)構(gòu)線寬、線高、側(cè)壁角以及殘膠厚度等幾何參數(shù)更為準(zhǔn)確的測(cè)量,同時(shí)對(duì)于納米壓印光刻膠光柵結(jié)構(gòu)還可以直接得到光斑照射區(qū)域內(nèi)殘膠厚度的不均勻性參數(shù).
[Abstract]:......
【作者單位】: 華中科技大學(xué) 數(shù)字制造裝備與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;華中科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):91023032,51005091) 國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(xiàng)(批準(zhǔn)號(hào):2011YQ160002) 教育部長(zhǎng)江學(xué)者和創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)發(fā)展計(jì)劃資助的課題~~
【分類號(hào)】:TH74
【正文快照】: 級(jí)尺度的測(cè)量,但其顯著缺點(diǎn)是速度慢、成本高、設(shè)1 31 備操作復(fù)雜、難以集成到制造工藝線上實(shí)現(xiàn)在線測(cè)^ 量.與之相反,光學(xué)測(cè)量方法如光學(xué)散射測(cè)量技術(shù)納米壓印是一種利用模板將圖形轉(zhuǎn)移到襯底 (optical scatter ometry),具有速度快、成本低、無接上的批量化納米制造工藝[1,2】

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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