本文關(guān)鍵詞：高量程MEMS加速度計(jì)的熱應(yīng)力仿真與可靠性評(píng)估　出處：《中國慣性技術(shù)學(xué)報(bào)》2015年04期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：硅壓敏電阻阻值漂移過大導(dǎo)致輸出失效是高量程MEMS加速度計(jì)在惡劣溫度環(huán)境下工作的主要失效模式之一。通過模擬仿真加速度計(jì)懸臂梁、芯片結(jié)構(gòu)和封裝后整體模型的熱應(yīng)力分布情況,確定了壓敏電阻所在結(jié)構(gòu)梁區(qū)域是最容易失效的位置,且最大熱應(yīng)力分布在芯片梁與質(zhì)量塊倒角處,其值約為107 N/m2;通過設(shè)計(jì)的高溫加速恒定應(yīng)力試驗(yàn)驗(yàn)證了加速度計(jì)的溫度敏感特性,根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)的特征采用三種可靠度評(píng)估方法定量外推出高量程MEMS加速度計(jì)在規(guī)定應(yīng)力條件下的可靠度指標(biāo)。研究結(jié)果表明,加速性能退化試驗(yàn)和基于退化量的可靠性評(píng)估方法適用于高量程MEMS加速度計(jì)在溫度環(huán)境中的可靠性研究,能夠利用有限的試驗(yàn)數(shù)據(jù)獲得可信度較高的評(píng)估結(jié)果。
【作者單位】： 中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中北大學(xué)儀器與電子學(xué)院;中北大學(xué)信息與通信工程學(xué)院;
【基金】：山西省自然科學(xué)基金(2014011021-5) 電子測(cè)試技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(9140C12040515X)
【分類號(hào)】：TH824.4
【正文快照】： 高量程MEMS加速度計(jì)主要應(yīng)用于航天測(cè)控、導(dǎo)彈侵徹等實(shí)際環(huán)境,測(cè)試過程往往伴隨高溫、高沖擊、高過載等復(fù)雜應(yīng)力的影響,會(huì)導(dǎo)致傳感器失效無法準(zhǔn)確測(cè)試運(yùn)動(dòng)載體的各種信息。文獻(xiàn)[1]總結(jié)了高g值加速度計(jì)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試的相關(guān)研究成果,包括抗沖擊性能和校準(zhǔn)等;文獻(xiàn)[2]提出在結(jié)構(gòu)最易斷

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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6 梁志國,李新良,孫t熡，

本文編號(hào)：1322786