本文關(guān)鍵詞：RRAM的氧空位與金屬細(xì)絲機(jī)制SPM的比較

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【摘要】：應(yīng)用掃描探針顯微鏡(SPM)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了氧化物阻變薄膜局部區(qū)域高低阻態(tài)的互相轉(zhuǎn)變。通過(guò)電激勵(lì)、編程和擦除等操作,控制細(xì)絲的產(chǎn)生和斷裂,實(shí)現(xiàn)了阻變薄膜局域的重復(fù)編程/擦除操作。用該方法分別研究了氧空位機(jī)制與金屬導(dǎo)電細(xì)絲機(jī)制的氧化物薄膜的阻變特性,對(duì)兩種機(jī)制做了對(duì)比研究。結(jié)果表明:在阻變存儲(chǔ)器(RRAM)中氧空位機(jī)制在導(dǎo)電細(xì)絲和數(shù)據(jù)密度方面要高于金屬細(xì)絲機(jī)制。同時(shí),金屬細(xì)絲機(jī)制阻變薄膜部分區(qū)域因編程/擦除操作發(fā)生了永久性形貌變化,可能對(duì)阻變器件的電極產(chǎn)生永久性破壞,這說(shuō)明氧空位機(jī)制阻變薄膜在未來(lái)的高密度存儲(chǔ)上具有較好的應(yīng)用前景。
【作者單位】： 貴州大學(xué)電子信息學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61361012)
【分類號(hào)】：TH742
【正文快照】： 0引言高速、高密度和低功耗的存儲(chǔ)技術(shù)是推動(dòng)信息社會(huì)快速發(fā)展的基礎(chǔ)。隨著主流的非揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)(閃存)即將到達(dá)尺寸極限而面臨無(wú)法等比例縮小的問(wèn)題,基于電阻存儲(chǔ)機(jī)制的新型存儲(chǔ)技術(shù)(如相變存儲(chǔ)器、阻變存儲(chǔ)器和磁存儲(chǔ)器)的研究變得越來(lái)越重要。其中,阻變存儲(chǔ)器(resistive ra

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本文編號(hào)：1218313