本文關(guān)鍵詞：一種低噪聲MEMS加速度計設(shè)計與制作

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【摘要】：為了提高微加速度計的噪聲性能,研究了一種基于絕緣體上硅(SOI)技術(shù)的單軸MEMS加速度計的設(shè)計和加工方案。該微加速度計采用大面積質(zhì)量塊的電容式檢測結(jié)構(gòu),通過增加檢測質(zhì)量,在保證靈敏度的前提下,有效地降低了微加速度計的機(jī)械布朗噪聲,增強(qiáng)了信噪比。另外,該微加速度計采用一種基于Al保護(hù)層的MEMS SOI工藝技術(shù)制造,有利于提高微加速度計的整體精度水平。測試結(jié)果表明:微加速度計的本底噪聲為20μgn/√Hz,靈敏度為2.5 V/gn。
【作者單位】： 西北工業(yè)大學(xué)空天微納教育部重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61273052)
【分類號】：TH824.4
【正文快照】： 0引言微加速度計是一類重要的MEMS傳感器。相比于傳統(tǒng)加速度計,其具有體積小、功耗低等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于汽車安全、消費(fèi)電子、航空航天慣性導(dǎo)航等領(lǐng)域[1]。隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種原理的微加速度計,包括諧振式微加速度計[2]、壓阻式微加速度計[3]、熱對流式微加速度計[4

【參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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3 熊V，

本文編號：1160698