本文關(guān)鍵詞：半圓弧面線性離子阱性能優(yōu)化的模擬研究

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【摘要】：半圓弧面線性離子阱具有電極結(jié)構(gòu)簡單、便于加工和安裝精度高等優(yōu)點(diǎn)。為進(jìn)一步提升半圓弧面線性離子阱的分析性能,本研究在實驗室原有半圓弧面線性離子阱的基礎(chǔ)上提出了一種四面開槽的半圓弧面線性離子阱,并對其電極半徑與場半徑之比r/r_0以及離子出射方向上電極的"拉伸"距離進(jìn)行了優(yōu)化。模擬結(jié)果表明:當(dāng)r/r0=5∶5,離子出射方向上的電極向外"拉伸"0.8~1.2 mm時,離子阱的性能有較大提升,尤其是"拉伸"距離為0.9 mm時所得質(zhì)量分辨率最高,當(dāng)掃描速率為409 Da/s時,m/z=609 Da的離子質(zhì)量分辨率可達(dá)到6264(M/ΔM,FWHM)。作為對比,本研究同時對雙曲面線性離子阱的性能進(jìn)行了仿真優(yōu)化,結(jié)果表明,經(jīng)過優(yōu)化后的半圓弧面線性離子阱的性能可與雙曲面線性離子阱相媲美。
【作者單位】： 蘇州大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 半圓弧面線性離子阱 理論模擬 質(zhì)量分辨率 “拉伸”距離
【基金】：江蘇省自然科學(xué)基金項目(No.BK20140340) 蘇州大學(xué)青年自然科學(xué)基金(No.SdY2013A11)資助
【分類號】：TH843
【正文快照】： 1引言作為質(zhì)譜儀的核心部件,離子阱質(zhì)量分析器因其結(jié)構(gòu)簡單、對真空要求低、可實現(xiàn)多級質(zhì)譜分析[1]并且適用于小型化質(zhì)譜儀[2]而受到廣泛應(yīng)用。常見的離子阱分為三維離子阱[3]和線性離子阱[4]。三維離子阱由Paul等人提出,其離子捕獲效率較低、存儲容量較小容易產(chǎn)生空間電荷效

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本文編號：1120485