TOF-SIMS二次離子光學(xué)系統(tǒng)仿真研究
發(fā)布時間:2017-10-21 13:08
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【摘要】:為實現(xiàn)飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)對二次離子束的提取并提高儀器的調(diào)試效率,采用離子光學(xué)仿真軟件SIMION 8.0對TOF-SIMS二次離子光學(xué)系統(tǒng)進行仿真。以穩(wěn)定同位素銅離子為對象,通過仿真,研究二次離子光學(xué)系統(tǒng)中二次離子提取系統(tǒng)透鏡電極電壓的調(diào)整對質(zhì)量分辨率的影響,確定最佳透鏡電極電壓組合,并得到穩(wěn)定同位素銅離子的仿真譜圖。仿真研究表明:當(dāng)初級提取電極電壓為800 V、單透鏡有效電極電壓為-4 400 V時,質(zhì)量分辨率最高。在TOF-SIMS實驗平臺上對銅樣品靶進行實驗測試,實驗與仿真結(jié)果相吻合,表明設(shè)計的二次離子光學(xué)系統(tǒng)可用于TOF-SIMS儀器的二次離子束提取,為實驗參數(shù)的選擇提供參考,從而提高儀器調(diào)試效率。
【作者單位】: 吉林大學(xué)儀器科學(xué)與電氣工程學(xué)院;中國地質(zhì)科學(xué)院地質(zhì)研究所;
【關(guān)鍵詞】: 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀 二次離子光學(xué)系統(tǒng) 仿真 透鏡電極電壓 質(zhì)量分辨率
【基金】:國家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(2011YQ050069)
【分類號】:TH843
【正文快照】: 0引言中間初TOF-SIMS是目前前沿的用于表面成分分析的級級提提科學(xué)裝置之一,因具有分辨率高、靈敏度高和分析速單地取取度快等特點[1-2]微,在地球科學(xué)、環(huán)境科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等透電電電樣偏轉(zhuǎn)板孔鏡極極極品方面有廣泛應(yīng)用[3-4]。其原理是利用經(jīng)過脈沖化的一次離子束轟擊樣品表
【相似文獻】
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1 鄭少濤;饒詠初;;鈰鑭合金表面的TOF-SIMS探索[A];中國核學(xué)會核材料分會2007年度學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2007年
,本文編號:1073511
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