本文關(guān)鍵詞：TOF-SIMS二次離子光學(xué)系統(tǒng)仿真研究

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【摘要】：為實(shí)現(xiàn)飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)對(duì)二次離子束的提取并提高儀器的調(diào)試效率,采用離子光學(xué)仿真軟件SIMION 8.0對(duì)TOF-SIMS二次離子光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行仿真。以穩(wěn)定同位素銅離子為對(duì)象,通過(guò)仿真,研究二次離子光學(xué)系統(tǒng)中二次離子提取系統(tǒng)透鏡電極電壓的調(diào)整對(duì)質(zhì)量分辨率的影響,確定最佳透鏡電極電壓組合,并得到穩(wěn)定同位素銅離子的仿真譜圖。仿真研究表明:當(dāng)初級(jí)提取電極電壓為800 V、單透鏡有效電極電壓為-4 400 V時(shí),質(zhì)量分辨率最高。在TOF-SIMS實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上對(duì)銅樣品靶進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試,實(shí)驗(yàn)與仿真結(jié)果相吻合,表明設(shè)計(jì)的二次離子光學(xué)系統(tǒng)可用于TOF-SIMS儀器的二次離子束提取,為實(shí)驗(yàn)參數(shù)的選擇提供參考,從而提高儀器調(diào)試效率。
【作者單位】： 吉林大學(xué)儀器科學(xué)與電氣工程學(xué)院;中國(guó)地質(zhì)科學(xué)院地質(zhì)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀 二次離子光學(xué)系統(tǒng) 仿真 透鏡電極電壓 質(zhì)量分辨率
【基金】：國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)專項(xiàng)(2011YQ050069)
【分類號(hào)】：TH843
【正文快照】： 0引言中間初TOF-SIMS是目前前沿的用于表面成分分析的級(jí)級(jí)提提科學(xué)裝置之一,因具有分辨率高、靈敏度高和分析速單地取取度快等特點(diǎn)[1-2]微,在地球科學(xué)、環(huán)境科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等透電電電樣偏轉(zhuǎn)板孔鏡極極極品方面有廣泛應(yīng)用[3-4]。其原理是利用經(jīng)過(guò)脈沖化的一次離子束轟擊樣品表

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 鄭少濤;饒?jiān)伋?;鈰鑭合金表面的TOF-SIMS探索[A];中國(guó)核學(xué)會(huì)核材料分會(huì)2007年度學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2007年

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本文編號(hào)：1073511