FPN的影響因素分析及相關(guān)應(yīng)用
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更多相關(guān)文章: 鋼筆納米刻蝕技術(shù) 原子力顯微鏡 電化學(xué)FPN技術(shù)
【摘要】:鋼筆納米刻蝕技術(shù)(Fountain pen nanolithography,FPN)是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新型的基于原子力顯微鏡(Atomic force microscope,AFM)的掃描探針刻蝕技術(shù),具有加工結(jié)構(gòu)精度高、加工過(guò)程操作性強(qiáng)、對(duì)加工環(huán)境要求低、持續(xù)書(shū)寫(xiě)等優(yōu)點(diǎn)。FPN刻蝕過(guò)程主要受探針的孔徑大小、空氣濕度、接觸時(shí)間、書(shū)寫(xiě)速度、墨水的特性等因素影響。在介紹FPN相關(guān)原理及影響因素的基礎(chǔ)上,綜合介紹了包括電化學(xué)FPN技術(shù)(Electrochemical FPN,EcFPN)和主動(dòng)控制技術(shù)FPN(Active FPN,AFPN)在內(nèi)的FPN相關(guān)技術(shù)研究的最新成果及其在生物領(lǐng)域、微電子領(lǐng)域和光學(xué)器件方面的相關(guān)應(yīng)用。
【作者單位】: 蘇州大學(xué)江蘇省先進(jìn)機(jī)器人技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;蘇州大學(xué)蘇州納米科技協(xié)同創(chuàng)新中心;
【關(guān)鍵詞】: 鋼筆納米刻蝕技術(shù) 原子力顯微鏡 電化學(xué)FPN技術(shù)
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(51205267)
【分類號(hào)】:TH742
【正文快照】: 0引言1981年,G.Bining等在IBM蘇黎世實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了第一臺(tái)掃描探針顯微鏡(Scanning probe microscope,SPM)-掃描隧道顯微鏡(Scanning tunneling microscope,STM),并因而獲得了1986年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)[1]。隨著以掃描隧道顯微鏡(STM)和原子力顯微鏡(AFM)為代表的掃描探針顯微鏡的
【共引文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條
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中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
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【相似文獻(xiàn)】
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中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條
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中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條
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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條
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,本文編號(hào):1067561
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