采用傳輸矩陣法研究四層單負(fù)材料一維光子晶體(AB)₂的透射譜特性,發(fā)現(xiàn):透射譜中出現(xiàn)3個(gè)隧穿模,隨著入射角的增大,3個(gè)隧穿模的位置幾乎不隨入射角變化;隨著兩種介質(zhì)層厚度的增大,中央隧穿模的位置保持不變,左右兩個(gè)隧穿模向中央隧穿�？繑n;隨著電單負(fù)材料A的磁導(dǎo)率和磁單負(fù)材料B的介電常數(shù)的增大,3個(gè)隧穿模均向低頻方向移動(dòng),相鄰兩個(gè)隧穿模之間的間隔在減小;三種情況中,3個(gè)隧穿模的半峰全寬最終均減小,品質(zhì)因子均得到提高,其中介質(zhì)層厚度的變化對(duì)隧穿模的半峰全寬和品質(zhì)因子的影響最顯著,入射角的變化影響最小。透射譜的這些特性,對(duì)設(shè)計(jì)新型光學(xué)器件具有一定的參考價(jià)值。

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【文章目錄】：
1 引言
2 四層單負(fù)材料一維光子晶體的結(jié)構(gòu)模型
3 透射譜的特性
    3.1 入射角對(duì)遂穿模的影響
    3.2 材料厚度對(duì)遂穿模的影響
    3.3 磁導(dǎo)率和介電常數(shù)對(duì)遂穿模的影響
4 結(jié)論



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