應(yīng)變對二維過渡金屬氮化物結(jié)構(gòu)和磁性的調(diào)控
發(fā)布時間:2023-12-24 16:17
近兩年,實驗相繼制備出了具有強磁各向異性的內(nèi)稟鐵磁性單層CrI3,VSe2和Fe3GeTe2以及內(nèi)稟鐵磁性二維材料Cr2Ge2Te6等。理論上,單層1H-MoN2被報道是內(nèi)稟鐵磁性金屬,有近420 K的居里溫度,并在實驗上能被剝離出單層結(jié)構(gòu)。更為重要的是,研究發(fā)現(xiàn)在拉伸應(yīng)變作用下,單層1H-MoN2中上下N層的原子由非成鍵態(tài)變?yōu)槌涉I態(tài),導(dǎo)致在拉伸應(yīng)變作用下單層1H-MoN2發(fā)生了結(jié)構(gòu)相變。對應(yīng)于結(jié)構(gòu)相變,單層1H-MoN2的磁矩由N原子提供變?yōu)镸o提供,并且發(fā)生了從鐵磁態(tài)到反鐵磁態(tài)的磁性相變。本文選取了單層1H-NdN2和1H-TcN2作為研究對象,系統(tǒng)研究了單層在1H-NdN2和1H-TcN2應(yīng)變下的結(jié)構(gòu),電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)。得到了如下結(jié)論:1.單層1H-TcN<...
【文章頁數(shù)】:48 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 自旋電子學(xué)
1.2 二維材料
1.3 二維材料的磁性
1.4 研究背景和選題思路
第二章 計算方法和VASP軟件說明
2.1 第一性原理計算
2.2 密度泛函理論(DFT)
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理
2.2.2 Kohn-sham方程
2.2.3 局域密度近似
2.2.4 廣義梯度近似(GGA)
2.3 能帶計算方法
2.3.1 正交化平面波法
2.3.2 贗勢法
2.3.3 綴加平面波法
2.4 VASP軟件簡介
第三章 應(yīng)變調(diào)控單層1H-TCN2結(jié)構(gòu)和磁性的研究
3.1 引言
3.2 模型和計算方法
3.3 單層TCN2的計算結(jié)果和分析
3.4 小結(jié)
第四章 應(yīng)變調(diào)控單層1H-NBN2結(jié)構(gòu)和磁性的研究
4.1 模型構(gòu)建和計算方法
4.2 單層NBN2的計算結(jié)果和分析
4.3 小結(jié)
第五章 結(jié)論與展望
5.1 論文總結(jié)
5.2 研究展望
參考文獻
在學(xué)期間所取得的學(xué)術(shù)成果
致謝
本文編號:3874866
【文章頁數(shù)】:48 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 自旋電子學(xué)
1.2 二維材料
1.3 二維材料的磁性
1.4 研究背景和選題思路
第二章 計算方法和VASP軟件說明
2.1 第一性原理計算
2.2 密度泛函理論(DFT)
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理
2.2.2 Kohn-sham方程
2.2.3 局域密度近似
2.2.4 廣義梯度近似(GGA)
2.3 能帶計算方法
2.3.1 正交化平面波法
2.3.2 贗勢法
2.3.3 綴加平面波法
2.4 VASP軟件簡介
第三章 應(yīng)變調(diào)控單層1H-TCN2結(jié)構(gòu)和磁性的研究
3.1 引言
3.2 模型和計算方法
3.3 單層TCN2的計算結(jié)果和分析
3.4 小結(jié)
第四章 應(yīng)變調(diào)控單層1H-NBN2結(jié)構(gòu)和磁性的研究
4.1 模型構(gòu)建和計算方法
4.2 單層NBN2的計算結(jié)果和分析
4.3 小結(jié)
第五章 結(jié)論與展望
5.1 論文總結(jié)
5.2 研究展望
參考文獻
在學(xué)期間所取得的學(xué)術(shù)成果
致謝
本文編號:3874866
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