幾種含鐵層狀化合物的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)研究
發(fā)布時間:2023-06-16 19:40
過渡族金屬層狀化合物具有豐富的結(jié)構(gòu)與物性。具有層狀結(jié)構(gòu)的鐵基超導(dǎo)體一經(jīng)發(fā)現(xiàn),就引起了人們的廣泛關(guān)注,然而高溫超導(dǎo)體的超導(dǎo)機(jī)理,一直是凝聚態(tài)物理中亟待解決的一大難題。考慮到鐵基超導(dǎo)體中超導(dǎo)電性與磁性之間的競爭關(guān)系,本論文對鐵基超導(dǎo)體中化合物中的超導(dǎo)電性與磁性進(jìn)行了研究。此外,考慮到磁阻挫材料對磁有序的抑制,探索了幾種新型磁阻挫層狀化合物,并對其結(jié)構(gòu)和物性進(jìn)行了表征。本論文的主要結(jié)果如下:1,通過傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法,合成了一系列的Cu和Li混占位的樣品,首次實(shí)現(xiàn)了從CuFeAs到LiFeAs的連續(xù)固溶體。研究表明,隨著Li摻雜量的增加,材料的反鐵磁轉(zhuǎn)變溫度逐漸被抑制,在x=0.5時,材料反鐵磁完全被抑制,隨后出現(xiàn)超導(dǎo)。從Cu1-xLixFeAs體系中磁性與超導(dǎo)電性隨Li摻雜量變化的電子相圖可以發(fā)現(xiàn),Cu1-xLixFeAs具有和其它的FeAs基超導(dǎo)體系不同的特點(diǎn),即Cu1-xLixFeAs體系中不存在磁性與超導(dǎo)電性的共存,且CuFeAs可以看做是Li FeAs超...
【文章頁數(shù)】:141 頁
【學(xué)位級別】:博士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 層狀化合物的結(jié)構(gòu)與物性
1.2 鐵基超導(dǎo)體
1.2.1 超導(dǎo)發(fā)展史簡介
1.2.2 鐵砷基超導(dǎo)體
1.2.3 鐵硒基超導(dǎo)體
1.3 磁阻挫材料
1.3.1 磁阻挫材料的基本概念
1.3.2 自旋冰材料
1.3.3 自旋液體材料
1.3.4 磁阻挫材料與超導(dǎo)的聯(lián)系
1.4 本論文的選題依據(jù)及主要內(nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)方法和原理
2.1 樣品制備方法
2.1.1 固相反應(yīng)法
2.1.2 自助熔劑法
2.1.3 溶劑熱法
2.2 樣品表征方法
2.2.1 X射線粉末衍射
2.2.2 中子粉末衍射
2.2.3 Rietveld方法精修晶體結(jié)構(gòu)
2.2.4 綜合物性測量系統(tǒng)
2.2.5 第一性原理計(jì)算
第3章 CuFeAs的Cu位摻Li研究
3.1 引言
3.2 樣品制備
3.3 Cu1-xLixFeAs的晶體結(jié)構(gòu)
3.4 Cu1-xLixFeAs的物性
3.5 Cu1-xLixFeAs的相圖
3.6 本章小結(jié)
第4章 新型化合物CsFe4-δSe4的物性與摻雜研究
4.1 引言
4.2 樣品制備
4.3 CsFe4-δSe4的結(jié)構(gòu)
4.4 CsFe4-δSe4的物性
4.5 CsFe4-δSe4的補(bǔ)鐵探索
4.6 CsFe4-δSe4的Fe位摻雜
4.7 CsFe4-δSe4的Se位摻雜
4.8 本章小結(jié)
第5章 幾種磁阻挫材料的物性與插層研究
5.1 引言
5.2 樣品制備
5.3 FeAl2Se4的晶體結(jié)構(gòu)
5.4 FeAl2Se4的物性
5.5 Co0.7Al2Se3.7, NiAl2Se3.7的晶體結(jié)構(gòu)
5.6 Co0.66Al2Se3.53, Ni0.61Al2Se3.55的物性
5.7 FeAl2Se4, FeGa2S4以及NiGa2S4的有機(jī)插層探索
5.8 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
個人簡歷及發(fā)表文章目錄
致謝
本文編號:3833865
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第1章 緒論
1.1 層狀化合物的結(jié)構(gòu)與物性
1.2 鐵基超導(dǎo)體
1.2.1 超導(dǎo)發(fā)展史簡介
1.2.2 鐵砷基超導(dǎo)體
1.2.3 鐵硒基超導(dǎo)體
1.3 磁阻挫材料
1.3.1 磁阻挫材料的基本概念
1.3.2 自旋冰材料
1.3.3 自旋液體材料
1.3.4 磁阻挫材料與超導(dǎo)的聯(lián)系
1.4 本論文的選題依據(jù)及主要內(nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)方法和原理
2.1 樣品制備方法
2.1.1 固相反應(yīng)法
2.1.2 自助熔劑法
2.1.3 溶劑熱法
2.2 樣品表征方法
2.2.1 X射線粉末衍射
2.2.2 中子粉末衍射
2.2.3 Rietveld方法精修晶體結(jié)構(gòu)
2.2.4 綜合物性測量系統(tǒng)
2.2.5 第一性原理計(jì)算
第3章 CuFeAs的Cu位摻Li研究
3.1 引言
3.2 樣品制備
3.3 Cu1-xLixFeAs的晶體結(jié)構(gòu)
3.4 Cu1-xLixFeAs的物性
3.5 Cu1-xLixFeAs的相圖
3.6 本章小結(jié)
第4章 新型化合物CsFe4-δSe4的物性與摻雜研究
4.1 引言
4.2 樣品制備
4.3 CsFe4-δSe4的結(jié)構(gòu)
4.4 CsFe4-δSe4的物性
4.5 CsFe4-δSe4的補(bǔ)鐵探索
4.6 CsFe4-δSe4的Fe位摻雜
4.7 CsFe4-δSe4的Se位摻雜
4.8 本章小結(jié)
第5章 幾種磁阻挫材料的物性與插層研究
5.1 引言
5.2 樣品制備
5.3 FeAl2Se4的晶體結(jié)構(gòu)
5.4 FeAl2Se4的物性
5.5 Co0.7Al2Se3.7, NiAl2Se3.7的晶體結(jié)構(gòu)
5.6 Co0.66Al2Se3.53, Ni0.61Al2Se3.55的物性
5.7 FeAl2Se4, FeGa2S4以及NiGa2S4的有機(jī)插層探索
5.8 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
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本文編號:3833865
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