采用浮區(qū)法（FZ）生長Ge摻雜β-Ga₂O₃晶體,利用XRD和Raman光譜研究了摻雜對晶體結(jié)構(gòu)的影響。透射光譜測試表明,隨著Ge離子摻雜濃度增加,Ge∶β-Ga₂O₃晶體光學(xué)帶隙增大。在4.67 eV紫外光激發(fā)下,Ge∶β-Ga₂O₃晶體的發(fā)光強度與β-Ga₂O₃晶體相當(dāng),發(fā)光衰減時間比β-Ga₂O₃晶體更快。 

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
0 Introduction
1 Experiment
    1.1 Crystal growth
    1.2 Performance test
2 Results and discussion
    2.1 Structural characterization
    2.2 Optical properties
3 Conclusion


【參考文獻】：
期刊論文
[1]混晶β-（Al,Ga）2O3的禁帶調(diào)節(jié)（英文）[J]. 肖海林,邵剛勤,賽青林,夏長泰,周圣明,易學(xué)專.  無機材料學(xué)報. 2016(11)



本文編號：3707544