采用光致熒光發(fā)射譜（PL）和時(shí)間分辨熒光發(fā)射譜（TRPL）研究了GaAs間隔層厚度對自組裝生長的雙層InAs/GaAs量子點(diǎn)分子光學(xué)性質(zhì)的影響.首先,測量低溫下改變激發(fā)強(qiáng)度的PL譜,底層量子點(diǎn)和頂層量子點(diǎn)的PL強(qiáng)度比值隨激發(fā)強(qiáng)度發(fā)生變化,表明兩層量子點(diǎn)之間的耦合作用和層間載流子的轉(zhuǎn)移隨著間隔層厚度變大而變?nèi)?接著測量改變溫度的PL譜,量子點(diǎn)熒光光譜峰值位置（Emax）、半峰全寬及積分強(qiáng)度隨溫度發(fā)生變化,表明GaAs間隔層厚度直接影響到量子點(diǎn)內(nèi)載流子的動(dòng)力學(xué)過程和量子點(diǎn)發(fā)光的熱淬滅過程.最后,TRPL測量發(fā)現(xiàn)60mL比40mL間隔層厚度樣品的載流子隧穿時(shí)間有明顯延長. 

【文章來源】：光子學(xué)報(bào). 2017,46(08)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]雙層堆垛長波長InAs/GaAs量子點(diǎn)發(fā)光性質(zhì)研究[J]. 魏全香,吳兵朋,任正偉,賀振宏,牛智川.  光學(xué)學(xué)報(bào). 2012(01)
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本文編號：3345023