本文關(guān)鍵詞：基片集成陣列天線的賦形研究

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【摘要】：隨著無(wú)線通信技術(shù)的快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,對(duì)天線提出了新要求,比如有很寬的波束、可以實(shí)現(xiàn)方向圖副瓣抑制、波束指向控制等,這就需要對(duì)天線進(jìn)行賦形研究�；诨刹▽�(dǎo)(Substrate Integrated Waveguide,SIW)的優(yōu)點(diǎn),基片集成陣列天線具有結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、損耗低、易于與其它平面集成等特點(diǎn),使其成為近些年的研究熱點(diǎn)之一。通過改變陣列中天線單元的激勵(lì)幅度及相位分布,可以較容易地實(shí)現(xiàn)所需要的賦形要求。目前,對(duì)基片集成陣列天線的方向圖副瓣抑制研究主要針對(duì)低副瓣,而對(duì)于任意副瓣抑制的研究較少。常見的具有較寬波束寬度的天線單元有偶極子天線、開口波導(dǎo)、波導(dǎo)縫隙天線、普通微帶天線等,但它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中都受到一定的限制。本文基于SIW傳輸線和單層印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)加工工藝,主要介紹基片集成陣列天線的賦形研究,具體分為四部分展開。首先,介紹E面方向圖副瓣抑制的基片集成陣列天線:K波段16×32賦形陣列天線,并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究。通過仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的對(duì)比可知,兩者吻合較好,滿足特定的方向圖要求,表明了該陣列天線具有良好的賦形特性。其次,介紹基片集成陣列天線的E面和H面方向圖副瓣抑制,研究了天線單元的H面方向圖副瓣抑制和K波段16×22陣列天線的E面方向圖副瓣抑制。16×22賦形陣列天線的仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該陣列天線具有良好的方向圖副瓣抑制特性,但兩者有一定的偏差。又從介質(zhì)材料參數(shù)的角度進(jìn)行分析,得到引起實(shí)驗(yàn)和仿真結(jié)果偏差的原因。然后,介紹V波段波束展寬天線單元及1×8寬角掃描陣列天線。波束展寬天線單元的仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該天線單元具有較好的波束展寬特性。1×8寬角掃描陣列天線的仿真結(jié)果表明,該陣列天線具有良好的寬角掃描特性。最后,介紹Ka波段基于SIW的共形漏波天線。SIW共形漏波天線單元的仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好,證明了該天線單元具有良好的波束指向控制特性。
【關(guān)鍵詞】：基片集成陣列天線 賦形研究 副瓣抑制 波束展寬
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN820
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本文編號(hào)：984818