本文關(guān)鍵詞：多層金屬電源線地線網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的IR-drop分析方法

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【摘要】：提出了一種電源/地線(P/G)網(wǎng)絡(luò)壓降(IR-drop)靜態(tài)分析方法.該方法探索了多層金屬立體P/G網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),通過(guò)輸入各金屬層的坐標(biāo)和通孔(Via)的工藝規(guī)則,分析不同多層金屬P/G網(wǎng)絡(luò)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)IR-drop的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,文中方法的壓降評(píng)估結(jié)果與SPICE仿真結(jié)果相比有著高度的一致性,平均誤差小于0.4%,且算法時(shí)間復(fù)雜度與通孔數(shù)目成線性關(guān)系.并且指出中間層金屬的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)IR-drop的分布和大小有重要影響.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所可編程芯片與系統(tǒng)研究室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 電源/地線網(wǎng)絡(luò) 多層 壓降 通孔
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(No.61271149)
【分類號(hào)】：TN86
【正文快照】： x引言 ^ ^ IR-drop是影響電源信號(hào)完整性的關(guān)鍵因素之一,隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入深亞微米階段,芯片密度逐漸增加,P/G網(wǎng)絡(luò)將承載更大的電流,并且隨著互連線寬減小而導(dǎo)致的電阻增加,更大的IR-drop會(huì)對(duì)電路的工作性能產(chǎn)生影響, 導(dǎo)致邏輯麟和時(shí)鐘偏移,甚至使芯片失效[1’2]. P/G網(wǎng)絡(luò)模

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 宋光亭;巧鉆超深通孔[J];機(jī)械制造;2001年05期

2 周行;不通孔座中壓入庿套的拆卸[J];上海機(jī)械;1965年01期

3 方開舜;;鋸管導(dǎo)向模[J];機(jī)械工人技術(shù)資料;1975年01期

4 張茂盛;繆e，

本文編號(hào)：899249