基于CMOS工藝的EBPSK調(diào)制電路設(shè)計
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更多相關(guān)文章: 超窄帶通信 EBPSK調(diào)制 反相調(diào)制 MCM調(diào)制 窄脈沖調(diào)制
【摘要】:在頻譜資源貴如黃金的今天,提高頻譜利用率成為通信技術(shù)發(fā)展新的突破口,超窄帶通信就是一種可極大提高頻譜利用率的新技術(shù)。隨著超窄帶通信技術(shù)的理論研究越來越深入,其實用化技術(shù)也逐漸提上議事日程。本文采用TSMC0.18 μm CMOS工藝,設(shè)計載波頻率在200 MHz-2.4 GHz范圍的EBPSK調(diào)制芯片,要求在三種特殊的調(diào)制模式(反相調(diào)制模式、MCM調(diào)制模式和窄脈沖調(diào)制模式)中可自由選擇,并且在50 Ω負載上輸出調(diào)制信號的幅度大于300 mV。系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)分為三大模塊:單轉(zhuǎn)雙電路、開關(guān)調(diào)制電路和輸出放大緩沖電路。由于載波信號頻帶范圍寬,輸入信號幅度大,特采用了帶源極負反饋的單轉(zhuǎn)雙電路;為保證后續(xù)開關(guān)電路的開和關(guān)的準確性,增加了補償電容來降低輸出兩路信號的相位不匹配。對于開關(guān)調(diào)制電路模塊,本文采用的是雙平衡MOS開關(guān)調(diào)制電路,可有效抑制輸入端、開關(guān)控制端到輸出端的泄漏,使得輸出波形更加純凈。為使輸出調(diào)制信號不失真輸出,本次設(shè)計在輸出緩沖中采用了并聯(lián)峰化技術(shù)以提高輸出電路帶寬,采用三級共源放大電路,使輸出信號在50Ω負載上的幅度遠大于300 mV。本次設(shè)計的芯片經(jīng)過了在片測試和鍵合測試的驗證,測試結(jié)果顯示,在200 MHz-2.4 GHz頻帶范圍內(nèi),電路能夠?qū)崿F(xiàn)正確的調(diào)制功能,各頻率下信號幅度均大于300 mV。在片測試芯片總功耗為30 mA×1.8 V(包括輸出緩沖在內(nèi)),芯片面積為510μm × 740 μm。
【關(guān)鍵詞】:超窄帶通信 EBPSK調(diào)制 反相調(diào)制 MCM調(diào)制 窄脈沖調(diào)制
【學(xué)位授予單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TN402;TN911.3
【目錄】:
- 摘要4-5
- Abstract5-8
- 第1章 緒論8-12
- 1.1 課題背景和意義8-9
- 1.1.1 超窄帶通信的概述8
- 1.1.2 國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀8-9
- 1.2 本文研究的主要內(nèi)容9-10
- 1.3 論文的組織結(jié)構(gòu)10-12
- 第2章 超窄帶通信和EBPSK調(diào)制的基本理論12-22
- 2.1 超窄帶通信的基本理論12-14
- 2.1.1 超窄帶通信的基本介紹12-13
- 2.1.2 載波通信方式13-14
- 2.1.3 零群延遲濾波器14
- 2.1.4 超窄帶的應(yīng)用14
- 2.2 EBPSK的基本原理14-18
- 2.2.1 傳統(tǒng)BPSK的基本原理14-16
- 2.2.2 EBPSK調(diào)制16-18
- 2.2.3 EBPSK解調(diào)18
- 2.3 EBPSK調(diào)制的三種特殊調(diào)制模式18-20
- 2.3.1 反相調(diào)制18-19
- 2.3.2 MCM調(diào)制19
- 2.3.3 窄脈沖調(diào)制19-20
- 2.4 本章小結(jié)20-22
- 第3章 EBPSK調(diào)制電路設(shè)計22-42
- 3.1 電路總體框架設(shè)計22
- 3.2 單轉(zhuǎn)雙電路設(shè)計22-26
- 3.2.1 常用的單轉(zhuǎn)雙電路22-24
- 3.2.2 單轉(zhuǎn)雙電路設(shè)計24-26
- 3.3 開關(guān)調(diào)制電路設(shè)計26-36
- 3.3.1 MOS開關(guān)及其非理想特性26-30
- 3.3.2 MOS開關(guān)調(diào)制電路的常用結(jié)構(gòu)30-32
- 3.3.3 開關(guān)調(diào)制電路設(shè)計32-36
- 3.4 輸出放大緩沖電路設(shè)計36-41
- 3.4.1 共源放大電路及其帶寬要求36-38
- 3.4.2 帶寬擴展技術(shù)38-40
- 3.4.3 緩沖電路設(shè)計40-41
- 3.5 本章小結(jié)41-42
- 第4章 EBPSK調(diào)制電路版圖設(shè)計42-48
- 4.1 版圖設(shè)計42-44
- 4.2 后仿結(jié)果與分析44-47
- 4.3 本章小結(jié)47-48
- 第5章 EBPSK調(diào)制電路的測試48-58
- 5.1 在片測試48-53
- 5.2 鍵合測試53-56
- 5.3 本章小結(jié)56-58
- 第6章 總結(jié)和展望58-60
- 參考文獻60-61
- 攻讀碩士期間發(fā)表論文61-62
- 致謝62
【相似文獻】
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,本文編號:839911
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