本文關(guān)鍵詞：TFT-LCD產(chǎn)業(yè)中GOA單元不良的研究

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【摘要】：通過(guò)對(duì)TFT-LCD制造過(guò)程中GOA單元不良原因的研究,提出了改善GOA單元不良的方法。分析表明靜電放電(ESD)的發(fā)生在于電容瞬間釋放的電流過(guò)大,導(dǎo)致過(guò)細(xì)的金屬線熔化;溝道橋接和開(kāi)裂的發(fā)生在于顯影效應(yīng),顯影方向以及圖案密度,導(dǎo)致局部區(qū)域溝道光刻膠厚度偏厚和偏薄。采用靜電分散釋放的連線設(shè)計(jì),ESD的發(fā)生率從5.4%降低到0.04%以下。GOA單元兩側(cè)增加測(cè)試圖樣(Dummy Pattern)的設(shè)計(jì)防止溝道橋接的發(fā)生,減壓干燥(VCD)抽氣曲線的調(diào)整和軟烘(Soft Bake)底部溫度的優(yōu)化措施防止溝道開(kāi)裂的發(fā)生,溝道橋接和開(kāi)裂的發(fā)生率從13.4%降低到1.22%以下。
【作者單位】： 北京京東方顯示技術(shù)有限公司;江南大學(xué)江蘇省食品先進(jìn)制造裝備技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： GOA 靜電放電 溝道橋接 溝道開(kāi)裂 顯影效應(yīng)
【分類號(hào)】：TN873.93
【正文快照】： (1.Beijing BOE Display Technology Co.,Lid.,Beijing100176,China;2.Jiangsu Key Laboratory of Advanced Food Manufacturing Equipment and Technology,Jiangnan University,Wuxi 214122,China)1引言隨著薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-LCD)的發(fā)展,液晶產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈,

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本文編號(hào)：711066