低溫等離子體系統(tǒng)設(shè)計(jì)及應(yīng)用研究
發(fā)布時(shí)間:2017-06-26 10:14
本文關(guān)鍵詞:低溫等離子體系統(tǒng)設(shè)計(jì)及應(yīng)用研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:隨著社會(huì)的發(fā)展和科技的進(jìn)步,對(duì)清潔、高效、安全的殺菌技術(shù)需求越來(lái)越大,尤其是在醫(yī)療、生物等領(lǐng)域。低溫等離子體是新一代的消毒滅菌技術(shù),其具有殺菌效率高、安全無(wú)殘留的特點(diǎn)使其在生物醫(yī)療領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛。對(duì)于可以產(chǎn)生穩(wěn)定低溫的等離子體射流的設(shè)備要求日益強(qiáng)烈,特別是在醫(yī)療生物應(yīng)用領(lǐng)域。本文重點(diǎn)是低溫等離子體系統(tǒng)的激發(fā)電源、發(fā)生器和氣源。激發(fā)電源的設(shè)計(jì)集中于對(duì)激發(fā)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和激發(fā)電源與不同的發(fā)生器之間的影響。本文設(shè)計(jì)了應(yīng)用于低溫等離子體系統(tǒng)的半橋式的激發(fā)電源手持式發(fā)生器。在設(shè)計(jì)之中,分析了基本的功能電路并確定了基本的元器件,發(fā)生器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了工作區(qū)域和放電區(qū)域的分離。設(shè)計(jì)工作包括了整流電路、可控硅調(diào)壓電路、半橋式逆變器電路和驅(qū)動(dòng)芯片SG3525的保護(hù)電路。氣源模塊的設(shè)計(jì)使用了氣壓開(kāi)關(guān)和繼電器實(shí)現(xiàn)了對(duì)于激發(fā)電源模塊的控制。最后,通過(guò)對(duì)低溫等離子體系統(tǒng)的整體測(cè)試、人體體感測(cè)試、功能性測(cè)試,得出結(jié)論:設(shè)計(jì)的500W功率的開(kāi)關(guān)電源適用于低溫等離子體系統(tǒng),系統(tǒng)可以產(chǎn)生2-3cm的空氣等離子體射流,說(shuō)明系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
【關(guān)鍵詞】:等離子體 半橋型變換器 可控硅 SG3525 PWM控制
【學(xué)位授予單位】:合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類(lèi)號(hào)】:TN86
【目錄】:
- 致謝7-8
- 摘要8-9
- ABSTRACT9-15
- 第一章 緒論15-24
- 1.1 課題背景15-19
- 1.2 發(fā)展與現(xiàn)狀19-22
- 1.3 主要研究?jī)?nèi)容22-23
- 1.3.1 課題來(lái)源22
- 1.3.2 本文的組織內(nèi)容22-23
- 1.4 本章小結(jié)23-24
- 第二章 低溫等離子體系統(tǒng)的方案設(shè)計(jì)24-35
- 2.1 低溫等離子體系統(tǒng)整體方案24-25
- 2.1.1 系統(tǒng)工作原理24
- 2.1.2 系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則24
- 2.1.3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案24-25
- 2.2 激發(fā)電源模塊設(shè)計(jì)25-28
- 2.2.1 激發(fā)電源特點(diǎn)25-26
- 2.2.2 激發(fā)電源方案設(shè)計(jì)26-27
- 2.2.3 PWM功率電路設(shè)計(jì)27-28
- 2.3 發(fā)生器模塊設(shè)計(jì)28-33
- 2.3.1 氣體放電形式28
- 2.3.2 發(fā)生器結(jié)構(gòu)研究28-31
- 2.3.3 電暈放電發(fā)生器31-33
- 2.4 氣源模塊設(shè)計(jì)33-34
- 2.4.1 氣源標(biāo)準(zhǔn)33
- 2.4.2 氣源方案設(shè)計(jì)33-34
- 2.5 本章小結(jié)34-35
- 第三章 低溫等離子系統(tǒng)激發(fā)電路設(shè)計(jì)35-56
- 3.1 低溫等離子體激發(fā)電路35-36
- 3.2 輸入級(jí)電路設(shè)計(jì)36
- 3.3 可控硅調(diào)壓電路36-39
- 3.3.1 可控硅的調(diào)壓原理36-38
- 3.3.2 調(diào)壓電路38-39
- 3.4 PWM功率電路39-45
- 3.4.1 PWM功率電路原理39-40
- 3.4.2 MOS場(chǎng)效應(yīng)管40-42
- 3.4.3 MOS功率管的選擇42-43
- 3.4.4 MOS功率管的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路43-45
- 3.5 PWM驅(qū)動(dòng)電路45-52
- 3.5.1 驅(qū)動(dòng)芯片45-47
- 3.5.2 SG3525外圍電路47-49
- 3.5.3 保護(hù)電路49-51
- 3.5.4 輔助電源系統(tǒng)51-52
- 3.6 高頻變壓器的研究52-55
- 3.6.1 高頻開(kāi)關(guān)變壓器設(shè)計(jì)要求52
- 3.6.2 高頻變壓器的設(shè)計(jì)方法52-55
- 3.7 本章小結(jié)55-56
- 第四章 系統(tǒng)測(cè)試56-62
- 4.1 初期方案驗(yàn)證與測(cè)試56-58
- 4.1.1 初期系統(tǒng)的測(cè)試56-57
- 4.1.2 初期系統(tǒng)測(cè)試結(jié)果57-58
- 4.2 低溫等離子體系統(tǒng)測(cè)試58-61
- 4.2.1 系統(tǒng)整體測(cè)試58
- 4.2.2 低溫等離子射流體感測(cè)試58-59
- 4.2.3 功能測(cè)試59-61
- 4.3 測(cè)試結(jié)論61
- 4.4 本章小結(jié)61-62
- 第五章 總結(jié)與展望62-63
- 5.1 總結(jié)62
- 5.2 后續(xù)工作與展望62-63
- 參考文獻(xiàn)63-66
- 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文66
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1 顏竹芳;低溫等離子體加熱技術(shù)國(guó)內(nèi)外應(yīng)用與發(fā)展概況[J];電爐;1988年04期
2 李學(xué)丹;;低溫等離子體的若干應(yīng)用[J];真空與低溫;1988年02期
3 蔡憶昔;趙衛(wèi)東;李小華;吳江霞;王軍;劉志楠;;低溫等離子體降低柴油機(jī)顆粒物排放的試驗(yàn)[J];農(nóng)業(yè)機(jī)械學(xué)報(bào);2008年02期
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5 楊建濤;潘華;陳杰;蘇清發(fā);汪大,
本文編號(hào):485771
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