采用GaN HEMT裸管芯片TGF2023-2-02,設(shè)計(jì)了一款工作于5G頻段的寬帶功率放大器。首先,在HFSS中合理設(shè)置鍵合線的結(jié)構(gòu)參數(shù)并建立模型進(jìn)行仿真,以實(shí)現(xiàn)晶體管與外圍的微帶電路連接;其次,利用ADS對功率管的大信號(hào)模型進(jìn)行負(fù)載牽引,進(jìn)而獲得可以實(shí)現(xiàn)高性能的最佳負(fù)載阻抗,通過使用多頻點(diǎn)阻抗匹配方法有效拓展了功率放大器的帶寬。仿真結(jié)果表明:在3-6GHz頻帶范圍內(nèi)大信號(hào)增益大于8.6dB,增益平坦度維持在±0.7dB,輸出功率為38.6-40dBm,效率為35%-47%。

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