基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種高速、低功耗的光接收機(jī)前端模擬電路。接收機(jī)芯片包括調(diào)節(jié)型共源共柵(RGC)跨阻放大器(TIA)、四級(jí)限幅放大器(LA)和輸出緩沖電路(buffer)。采用高跨導(dǎo)SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)作為輸入級(jí)的RGC TIA有效隔離了探測器結(jié)電容和輸入寄生電容的影響,更好地拓展了光接收機(jī)的帶寬。仿真結(jié)果表明,在1.8V電源電壓供電下,驅(qū)動(dòng)50Ω電阻和10pF電容負(fù)載時(shí),光接收機(jī)前端的跨阻增益為76.67dB,-3dB帶寬為2.1GHz。測試結(jié)果表明,光接收機(jī)前端電路的-3dB帶寬為1.2GHz,跨阻增益為72.2dB,在誤碼率(BER)為10-9的條件下,光接收機(jī)實(shí)現(xiàn)了1.5Gbit/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。在1.8V電源電壓下,芯片功耗僅為44mW,芯片總面積為800μm×370μm。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1引言
2光接收機(jī)前端放大電路設(shè)計(jì)
    2.1跨阻放大器
    2.2限幅放大器和輸出緩沖級(jí)
3測試結(jié)果及分析
4結(jié)論



本文編號(hào)：3917957